存储器原理与接口课件.pptVIP

記憶體原理與介面一、記憶體分類按構成記憶體的器件和存儲介質分類半導體記憶體磁片和磁帶等磁表面記憶體光電記憶體按存取方式分類隨機記憶體RAM(RandomAccessMemory)只讀記憶體ROM（Read-OnlyMemory）串行訪問記憶體(SerialAccessStorage)按在電腦中的作用分類主記憶體(記憶體)輔助記憶體(外存)高速緩衝記憶體二、半導體記憶體的分類1、隨機存取記憶體RAMa.靜態RAMb.動態RAM2、只讀記憶體ROMa.掩膜式ROMb.可編程的PROMc.可用紫外線擦除、可編程的EPROMd.可用電擦除、可編程的E2PROM等RAM靜態RAM（SRAM）動態RAM（DRAM）ROM掩膜型ROM可編程ROM（PROM）可擦除可編程ROM（EPROM）電可擦除可編程ROM（E2PROM)三、多層存儲結構概念1、核心是解決容量、速度、價格間的矛盾，建立起多層存儲結構。一個金字塔結構的多層存儲體系充分體現出容量和速度關係2、多層存儲結構寄存器Cache(高速緩存)記憶體磁片磁軌、光碟Cache—主存層次：解決CPU與主存的速度上的差距；主存—輔存層次：解決存儲的大容量要求和低成本之間的矛盾。四、主記憶體及存儲控制1、主記憶體的主要技術指標存儲容量存取速度可靠性功耗（1）容量存儲容量記憶體可以容納的二進位資訊量稱為存儲容量（尋址空間，由CPU的地址線決定）實際存儲容量：在電腦系統中具體配置了多少記憶體。（2）存取速度存取時間是指從啟動一次記憶體操作到完成該操作所經歷的時間，又稱為讀寫週期。（3）可靠性可靠性是用平均故障間隔時間來衡量（MTBF,MeanTimeBetweenFailures）（4）功耗功耗通常是指每個存儲元消耗功率的大小2、主記憶體的基本組成MOS型器件構成的RAM，分為靜態和動態RAM兩種，靜態RAM通常有6管構成的觸發器作為基本存儲電路靜態存儲單元，動態RAM通常用單管組成基本存儲電路。（1）靜態存儲單元（2）動態存儲單元（3）、地址解碼器控制邏輯電路數據緩衝器存儲體地址解碼器：接收來自CPU的n位地址，經解碼後產生2n個地址選擇信號，實現對片記憶體儲單元的選址。控制邏輯電路：接收片選信號CS及來自CPU的讀/寫控制信號，形成晶片內部控制信號，控制數據的讀出和寫入。數據緩衝器：寄存來自CPU的寫入數據或從存儲體內讀出的數據。存儲體：是存儲晶片的主體，由基本存儲元按照一定的排列規律構成。五、8086系統的記憶體組織1、記憶體介面應考慮的幾個問題記憶體與CPU之間的時序配合;CPU匯流排負載能力;存儲晶片的選用.2、記憶體地址解碼方法（1）.片選控制的解碼方法常用的片選控制解碼方法有線選法、全解碼法、部分解碼法和混合解碼法等。（2）解碼晶片常用的解碼晶片是74LS138解碼器，功能是3－8解碼器，有三個“選擇輸入端”C、B、A和三個“使能輸入端”G1、G2A#，G2B#以及8個輸出端Y7#～Y0#解碼晶片74LS138輸入輸出使能選擇G1G2A#G2B#CBAY7#Y6#Y5#Y4#Y3#Y2#Y1#Y0#1000001111111010000111111101100010111110111000111111011110010011101111100101110111111001101011111110011101111111其它XXX1111111174LS138功能表