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N型单晶硅制备过程中控氧技术的研究进展

目录

一、内容描述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1.1硅材料的重要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.1.2单晶硅的制备工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.1.3控氧技术的必要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.2国内外研究现状分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7

1.2.1国外研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8

1.2.2国内研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8

1.3研究目标与内容概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9

1.3.1研究目标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9

1.3.2研究内容．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10

二、N型单晶硅的制备过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11

2.1晶体生长理论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

2.1.1晶体生长机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

2.1.2晶体缺陷与生长速率．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

2.2制备工艺流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

2.2.1原料准备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15

2.2.2生长设备介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15

2.2.3生长参数控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16

2.3关键步骤分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17

2.3.1温度控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17

2.3.2气氛管理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18

2.3.3掺杂处理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19

三、控氧技术在N型单晶硅制备中的应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

3.1传统控氧方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

3.1.1氧化炉技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21

3.1.2保护气体法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22

3.2新型控氧技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22

3.2.1微波辅助加热法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．23

3.2.2激光辅助生长法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24

3.2.3化学气相沉积法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25

3.3控氧技术的效果评估．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25

3.3.1生长速率的影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26

3.3.2缺陷密度的变化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27

3.3.3成品率的提升．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27

四、实验设计与结果分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28

4.1实验方案设计．．．．．．．．．．．．．．．．．