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太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片

编制说明

（征求意见稿）

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一、工作简况

1、立项目的与意义

半导体材料经过几十年的发展，目前基本形成三个系列，即以锗、硅为代表的第一

代半导体材料；以砷化镓、磷化铟为代表的第二代III-V族化合物半导体材料，以及以

碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料。三代材料在应用上各有侧重，硅材

料的应用最为普及，是构成电子信息技术的主要支柱，砷化镓、磷化铟材料在工作速度、

频率上优势明显，而碳化硅、氮化镓将在更高的工作温度和高频下更大的功率密度方面

具有优势。

在化合物半导体中，砷化镓是继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材

料，是红、橙、黄光发光二极管（LED）的唯一衬底材料，广泛用于半导体照明、高清

全彩显示屏、激光器、无人驾驶汽车等和太阳能电池领域。自2010年起，随着LED及

智能手机的普及，砷化镓衬底进入了规模化应用阶段，特别是随着航空航天的发展及太

阳能无人机进一步研究都扩大了半导体砷化镓柔性电池的应用。我国较早就开展了太阳

能电池用砷化镓衬底材料的研究工作，在砷化镓衬底材料生长和性质方面的研究取得了

很多成果，目前已经形成成熟的产品体系熟。

目前光伏市场上柔性太阳能电池的产品类型主要有CdTe柔性电池、硅基柔性电池、

铜铟镓硒（CIGS）柔性电池以及砷化镓柔性电池。由于材料受限，无论CdTe柔性电池、

硅基柔性电池以及铜铟镓硒（CIGS）柔性电池，都无法制备高光电转换效率的柔性电池。

砷化镓是典型的III-V族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV

（300K），正好为高吸收率太阳光的值，因此是理想的太阳能电池材料。其主要特点如

下：（1）光电转换效率高；(2)可制成薄膜电池，在可见关范围内GaAs材料的光吸收

率系数远高于Si材料。同样吸收95%的太阳光，GaAs电池只需哟5~10um的厚度，而Si

太阳能电池则需要大于150um，因此GaAs太阳能电池能制成薄膜，质量可大幅减少；（3）

耐高温性能好；（4）抗辐射性能强；（5）多结叠层太阳能电池的材料。

由于III-V族化合物半导体材生长技术日益成熟，使电池的设计更为灵活，可以制

作多结叠层太阳能电池。因此采用GaAs材料制作的多柔性太阳能电池相比于其他类型

的柔性电池具有很大的优势。国内的江苏宜兴德融科技有限公司、中山德华芯片技术有

限公司、扬州乾照光电有限公司均已经开发了三结柔性电池，其转换效率已经超过34%。

据报道我国研制的第一款以太阳能为唯一动力能源的全电大型无人机平台——“启明星

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50”大型太阳能无人机成功首飞，其采用的就是砷化镓柔性电池，作为能够在临近空间

长时间飞行的“伪卫星”，太阳能无人机平台用途甚广：在军事方面，太阳能无人机飞

行高度很高，可以避免地面攻击，又同时具备卫星与飞机的对地测绘能力；在民用方面，

太阳能无人机可以作为空中中继平台，提供通信服务。此外，由于经济成本的方面的优

势，太阳能无人机还可以在某些方面作为卫星功能的替代品。因此，近些年来各国航空

制造业都在大力推进太阳能无人机的研发工作。同时目前国内的神舟系列飞船和中国空

间站均采用的有柔性砷化镓电池。另外由于砷化镓电池的耐高温性能，砷化镓电池在聚

光太阳电的应用也是目前研发的重点。另外随着科技的不断进步和应用领域的拓展，砷

化镓太阳能电池的应用前景将更加广阔。未来，随着制备技术的不断改进和成本的降低，

砷化镓太阳能电池有望在更多领域得到应用，如地面光伏发电、电动汽车等。同时，随

着新型材料的研发和应用，砷化镓太阳能电池的性能将得到进一步提升，为人类的能源

利用和可持续发展贡献更多力量。

再砷化镓电池的国家标准方面，2010年制定了国家标准GB/T25075-2010《太阳

能电池用砷化镓单晶》，并且于2017年制定了国家标准GB/T35305-2017《太阳能电

池用砷化镓单晶抛光片》，随着生产技术水平的提高，已经不能满足现有产品的需求，

有必要对技术参数加以规范，进行修订、增加相关指标，合并成新的标准。形成新的统

一标准后可作为砷化镓电池用砷化镓单晶抛光片行业今后组织生产、销售和接受质量监

督的依据，以利于太阳能电池用砷化镓衬底材料更好发展。

2、任务来源

根据《国