IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目可行性研究报告.docx

1、项目基本情况

本项目计划投资10,179.75万元，实施地点位于珠海市南水镇平湾四路东北侧，实施主体为公司全资子公司珠海容大。

公司计划通过珠海容大实施IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目，将围绕“IC载板阻焊干膜光刻胶”、“248nm光刻胶关键原材料测试评估”、“248nm厚膜正胶产品开发”、“248nm负性lift-off光刻胶产品开发”、“248nm高分辨正胶产品开发”、“248nm光刻胶光刻工艺开发”等6大研发课题进行研究，旨在提升公司在IC载板阻焊干膜光刻胶、KrF半导体光刻胶的研发能力，为后续丰富产品体系奠定基础，实现自身可持续发展。

2、项目实施的必要性

（1）布局IC载板高端阻焊干膜领域，促进产业链国产替代、自主可控

IC载板用阻焊干膜性能优异，是国家支持发展的材料之一。IC载板用阻焊干膜具有优异的性能，系高端光刻胶类别之一，可作为阻焊层的应用方案，可应用于半导体领域IC载板生产制造，以匹配芯片封装的精细要求。

相较于传统的液态型阻焊油墨，阻焊干膜不需要进行丝印（或辊涂）、静置、预烘干等工序，可以节省复杂工序，缩短工艺制程，从而提高生产稳定性及提升产品良率。

IC载板用阻焊干膜形成的阻焊层在表面平整性、开窗（PAD/SRO）精细程度、可靠性（高温高湿耐性、机械性能）等方面品质更为优越，且产品本身的环保性更为优良，能够为下游客户提供更为高效、高质量、环保的解决方案。根据工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》，“封装基板用高性能阻焊”（序号240）已列入重点新材料首批次应用示范指导目录，而IC载板阻焊干膜（固态）与序号240产品（液态阻焊）同属封装基板用高性能阻焊类产品，系国家及产业政策重点支持引导的高新技术材料。

目前阻焊干膜的国产替代化率极低，而IC载板用阻焊干膜更是近乎全进口，目前由日本太阳油墨公司、日本Resonac公司垄断，内资供应尚处于空白状态。

公司提前重点布局IC载板阻焊干膜光刻胶市场，以匹配下游封装基板厂商的研发、量产需求，对于促进干膜光刻胶产业链加速国产替代、实现自主可控具有深远意义。项目建成后，公司将打破高端阻焊干膜光刻胶的国外垄断局面，公司的产品矩阵亦将得以进一步拓展，有利于持续提高公司产品竞争力，推动公司长远高质量发展。

（2）半导体下游扩产和制程升级驱动半导体光刻胶市场成长，募投项目有望填补客户对高端光刻胶的需求

在下游扩产需求旺盛、大硅片和制程升级的背景下，半导体光刻胶市场规模逐渐增加。受益于5G、物联网、新能源汽车、人工智能等新兴领域的高速成长，半导体材料市场同步保持高速增长。

根据SEMI数据，2022年全球晶圆制造材料市场达447亿美元，同比增长10.5%。同时，随着大硅片、制程升级的趋势呈现，单位面积晶圆所需光刻胶价值量提升。根据SEMI、WSTS和海通国际的数据，2022年全球半导体光刻胶市场规模约26.4亿美元，预计2030年将增长至45亿美元，年均复合增长率为6.9%。

中国半导体光刻胶的市场规模将快速增长。伴随着第三次半导体产业转移，晶圆产能向大陆转移，我国大陆地区在全球半导体材料市场占比同步提升，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球市场的增速持续成长。

根据TrendBank的预测，中国半导体光刻胶市场规模预计将由2023年的34亿元增长至2026年的48亿元，年均复合增长率约为12%。

在上述背景下，公司将围绕“248nm光刻胶关键原材料测试评估”、“248nm厚膜正胶产品开发”、“248nm负性lift-off光刻胶产品开发”、“248nm高分辨正胶产品开发”、“248nm光刻胶光刻工艺开发”等课题进行研究，提升自身在KrF半导体光刻胶的研发能力，在日趋激烈的市场竞争中保持技术先发优势，填补下游客户对国产高端半导体光刻胶的需求，实现自身可持续发展。

（3）光刻胶是半导体制造关键材料，国产替代、自主可控需求迫切

光刻胶是半导体制造关键材料。光刻是精细线路图形加工中最重要的工艺，通常半导体芯片在制造过程中需要进行数十道光刻过程，光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相关。

目前，全球半导体光刻胶市场由日美韩厂商主导。2021年，东京应化、JSR、住友化学、富士胶片等四家日本企业分别约占27%、13%、12%、8%的市场份额，美国杜邦、韩国东进分别约占17%、11%的市场份额，以上六家企业合计约占88%的市场份额。

光刻胶是半导体制造的关键材料，其自主可控的国产化替代需求迫切。为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，国家、地方层面