非平衡载流子课件.ppt

非平衡載流子§5.1非平衡載流子的產生和壽命

一、非平衡載流子的產生1．光注入用波長比較短的光照射到半導體光照?n?pnopo光照產生非平衡載流子

2．電注入3．非平衡載流子濃度的表示法產生的非子一般都用?n，?p來表示。達到動態平衡後：n=n0+?np=p0+?pn0，p0為熱平衡時電子濃度和空穴濃度，?n，?p為非子濃度。

對同塊材料：?n=?p熱平衡時n0·p0=ni2，非平衡時n·p＞ni2n型：?n—非平衡多子?p—非平衡少子p型：?p—非平衡多子?n—非平衡少子

注意：?n，?p—非平衡載流子的濃度n0，p0—熱平衡載流子濃度n，p—非平衡時導帶電子濃度和價帶空穴濃度

4．大注入、小注入●注入的非平衡載流子濃度大於平衡時的多子濃度，稱為大注入。n型：?nn0，p型：?pp0●注入的非平衡載流子濃度大於平衡時的少子濃度，小於平衡時的多子濃度，稱為小注入。n型：p0?nn0，或p型：n0?pp0

例：??1??cm的n型矽中，n0?5.5?1015cm-3,p0?3.1?104cm-3.注入非子?n=?p=1010cm-3則?nn0，小注入但?pp0。非平衡少子濃度平衡少子濃度即使小注入，實際上，非平衡少子起重要作用。

二、非平衡時的附加電導熱平衡時：非平衡時：

——附加電導率n型：多子：少子：

光注入引起附加光電導光照R半導體

三、非平衡載流子的檢測與壽命1．非平衡載流子的檢測設外接電阻Rr(樣品的電阻)外

無光照時：有光照後：

2．非平衡載流子隨時間的變化規律(1)隨光照時間的變化t=0，無光照，?Vr=0△Vrt0t0，加光照↑有淨產生

(2)取消光照在t=0時，取消照，複合產生。△Vrt0非平衡載流子在半導體中的生存時間稱為非子壽命。↓有淨複合

3．非子的平均壽命?假設t=0時，停止光照t=t時，非子濃度為?p(t)t=t+?t時，非子濃度為?p(t+?t)在?t時間間隔中，非子的減少量：?p(t)—?p(t+?t)單位時間、單位體積中非子的減少為：

當?t?0時，t時刻單位時間單位體積被複合掉的非子數，為：假設複合幾率為

C為積分常數t=0時，

0τt

非子的平均壽命：t=?時，非子濃度減到：τ為非平衡載流子的壽命

§5.2准費米能級和非平衡載流子濃度一、非平衡態時的准費米能級

熱平衡狀態的標誌－－統一的費米能級來描述電子和空穴濃度非平衡狀態－－導帶准費米能級價帶准費米能級二、非平衡態時的載流子濃度1．運算式

熱平衡態時：非平衡時：

2．准費米能級的位置

N型材料：略高於EF,遠離EFP型材料：略低於EF,遠離EF小，大，

N型EcEvEFEFnEFpP型EcEvEFEFpEFn

3．非平衡態的濃度積與平衡態時的濃度積

EFn和EFp偏離的大小反映np和ni2相差的程度，即半導體偏離熱平衡態的程度

§5.3非平衡載流子的複合

產生非子的外部作用撤除後，由於半導體的內部作用，使它由非平衡態恢復到平衡態，非子逐漸消失，這一過程叫?。

一、複合類型按複合機構分直接複合：?°EcEv間接複合：EcEv?°Et

按複合發生的位置分表面複合體內複合按放出能量的形式分發射光子俄歇複合發射聲子→輻射複合→無輻射複合

二、非子的直接複合1．複合率和產生率(1)複合率：單位時間、單位體積中被複合的載流子對（電子、空穴對），量綱為：對(個)/s·cm3用R表示R?npR=rnpr：比例係數，它表示單位時間一個電子與一個空穴相遇的幾率，通常稱為複合係數

當n=n0，p=p0時，rn0p0=熱平衡態時單位時間、單位體積被複合掉的電子、空穴對數對直接複合，用Rd表示複合率Rd=rdnp—非平衡Rd=rdn0p0—熱平衡rd為直接複合的複合係數

Q在所有非簡並情況下，基本相同，與溫度有關，與n,p無關

非平衡態下的產生率

EcEvEt?(一)(二)

電子由Ec→Et??(甲)(乙)(丙)(丁)

導帶的電子濃度→n複合中心上的空態→Nt-nt(甲)

複合中心上的電子濃度→nt導帶中的空態S－為比例係數,稱為電子激發幾率

熱平衡時，電子的產生率＝電子的複合率

(乙)