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CVD与薄膜工艺章;Ch、2化学气相淀积得化学原理和装置技术;2、1CVD得化学反应体系-(1)热解反应;2、1CVD得反应体系-热解反应(续);2、1CVD得反应体系-热解反应续);2、1CVD反应体系-(2)化学合成反应;化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线;2、1CVD反应体系-(3)化学输运反应;;化学输运反应和新型无机材料制备
(ShaferH,AcademicPress,N、Y、,1964,)、;2、2CVD装置系统及其相关技术;2、2CVD源得输运;大家有疑问的,可以询问和交流;2、3CVD得反应器设计;单一固体混合源MOCVD
(脉冲)液体入射MOCVD
………;1)从源物质得种类
★卤化物CVD(1960-1970年代)
★MOCVD(1974年,H、M、Manasevit(J、Cryst、Growth)
2)从体系操作压力
★常压(大气压)CVD
★LPCVD(高度均匀,PLASMA-CVD)
3)从淀积过程能量提供方式
★电阻加热-热壁CVD,
★冷壁(感应加热)CVD
★PLASMA(辅助、增强、激活)CVD(PCVD)l
★PHOTO-CVD
★Laser(辅助、增强、激活)CVD(LCVD)
4)从淀积装置结构形式
★开管气流CVD★封管输运CVD★桶式CVD★热丝CVD
★单一混合源CVD★液态源CVD;;;搅拌,
反应3-4h;M(DPM)n的表征;;;Ce(DPM)4、Gd(DPM)3、Zr(DPM)4:
400-1800cm-1波数范围没有发生明显得变化,
3300-3600cm-1间H2O得吸收峰明显得增强
——从空气中吸附了一定量得H2O
?
Y(DPM)3:
发生了较大得变化
——难以判断;;;Oxy-acetyleneflameprovidesenergyfor
theheatingsubstrateandallCVDprocess;气溶胶CVD
—AACVD;MOCVDGrowth;气相外延砷化镓单晶薄膜;;;SiHCl3+H2=Si+3HCl(热丝CVD);;Plasma-EnhancedCVD;ECR-CVD
(ECR:electroncyclotronresonance);MBEGrowth;(a)phosphoricanhydride,(b)sodiumhydrateparticle,(c)ballvalve,(d)flowmeter,(e)spongytitanium,(f)aluminumchloride(purity98%),(g)ribbonheater,(h)MoSi2heater,(i)thermocouple,(j)quartztubereactor,(k)pressuregauge,(l)vacuumpump,(m)powdercollectionflask,(n)NaOHsolution、;PECVD(plasmaenhancedCVD);LPCVD(lowpressureCVD);APCVD(AtmosphericpressureCVD);HC-PCVD化学气相沉积系统;EA-CVD化学气相沉积系统;磁控与离子束复合溅射系统;MW-PCVD化学气相沉积系统;TheMOCVDgrowthsystem(GeorgiaTech、);EA-CVD化学气相淀积系统;实验室CVD设备(1);实验室CVD设备(2);实验室CVD设备(3);实验室CVD设备(4);Low-PressureCVDSystem;本章结语;课程???文选题参考;(二)按具体材料研究来命题
★CVD技术研制氮化镓发光材料得进展
★CVD法在金属基底上制备陶瓷保护涂层(TiCx,TiN,BCx,。。。)
★CVD技术合成金属晶须得发展(选其中得一种或多种)
★CVD法研制宽禁带材料SiC(或Si3N4)
★CVD法金刚石薄膜
。。。。。。
(三)从CVD在某个领域得应用命题
★化学气相淀积和新技术和微电子学工艺
★CVD与半导体光电技术
★CVD与太阳能利用
★CVD与高分子材料
★CVD与光纤通讯
★CVD与超电导技术
★CVD与保护涂层
★CVD与航空、航天技术
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