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磁控溅射Bi、O掺杂CdSe薄膜的特性与性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学与技术的迅猛发展中,半导体薄膜材料因其独特的物理性质和广泛的应用前景,成为了众多研究领域的焦点。其中,CdSe薄膜作为一种重要的II-VI族化合物半导体薄膜,凭借其直接带隙约为1.7eV的特性,与太阳光谱中的可见光波段相适配,在太阳能电池、光探测器、光催化以及生物探针等诸多领域展现出了巨大的应用潜力,受到了科研人员的广泛关注和深入研究。
在太阳能电池领域,随着全球对清洁能源需求的不断增长,提高太阳能电池的光电转换效率和降低成本成为了研究的关键目标。CdSe薄膜由于其合适的带隙,能够
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