《电子开关原理》课件.pptVIP

*************************************5.5GTO（门极可关断晶闸管）结构GTO(门极可关断晶闸管)是一种可通过门极信号主动关断的晶闸管。与普通晶闸管相比，GTO采用高度交叉指状的阴极结构，使关断时的门极区域能迅速抽取足够的电荷。GTO芯片通常采用压力接触组装技术，以确保均匀导热和电流分布。大功率GTO直径可达数英寸，单个器件可处理数千安培电流和数千伏电压。工作原理GTO的导通过程与普通晶闸管类似，通过门极注入正向电流触发。其独特之处在于关断能力：当向门极施加大幅负电流脉冲(通常为阳极电流的1/5至1/3)时，门极电流抽走J3结附近的电子，短路了电子从J1注入的通路，破坏了维持导通的正反馈条件，器件转入关断状态。关断过程中存在电流尾部和电压尖峰，需要合适的缓冲电路保护器件。应用领域GTO主要应用于大功率电力电子系统，如大型变频调速装置、牵引传动系统、高压直流输电(HVDC)、静止无功补偿器(SVC)等。其优势在于高压大电流处理能力和主动控制特性；缺点是驱动电路复杂，开关损耗较大。随着IGBT、IGCT等器件性能的提升，GTO的应用范围逐渐缩小，主要保留在超高压、大电流场合。现代系统中，GTO常与其他器件形成混合电路，发挥各自优势。5.6功率开关的驱动电路光耦隔离驱动光耦隔离驱动是一种常用的功率开关驱动方式，利用光电耦合器实现控制侧和功率侧的电气隔离。其基本结构包括：控制信号处理电路、发光二极管驱动电路、光电耦合器和输出驱动级。光耦隔离驱动的优点是结构简单、成本低、隔离电压高(通常为2500V-5000V)；缺点是响应速度较慢、温度稳定性较差。常用的光耦类型包括标准光电晶体管光耦、高速光电晶体管光耦和MOSFET输出光耦等。在高频应用中，需特别注意光耦的传输延迟和共模抑制特性。变压器隔离驱动变压器隔离驱动利用脉冲变压器传输栅极驱动信号，实现控制侧和功率侧的隔离。其基本结构包括：信号调制电路、驱动变压器和解调/输出驱动电路。变压器隔离驱动的优势是速度快、可靠性高、能够同时传输能量和信号；缺点是电路相对复杂、存在磁饱和限制(不能传输DC信号)。实际应用中，常采用双极性驱动技术，以加速开关过程并增强抗干扰能力。变压器隔离驱动广泛应用于高频功率变换器中，特别是需要高速开关和高隔离度的场合。集成驱动芯片现代功率开关驱动电路往往采用专用集成驱动芯片，如IR2110、UCC27xxx系列等。这些芯片集成了多种功能：电平转换、死区控制、欠压锁定、短路保护等。驱动芯片通常采用自举电路为高侧开关提供浮动电源，也有采用电荷泵技术的全集成解决方案。此外，一些新型SiC和GaN器件对驱动电路提出了更高要求，如更高的驱动电压、更快的开关速度和更精确的时序控制，相应地出现了针对性优化的专用驱动芯片来满足这些要求。5.7功率开关的保护电路过流保护过流保护是功率开关电路的基本保护功能，防止器件因过载或短路而损坏。常见的过流保护方式包括：电流检测与快速关断，通过采样电阻或电流互感器检测电流，当超过阈值时迅速关断功率器件；限流控制，通过调整栅极电压限制最大电流；硬件锁定，一旦检测到过流，硬件电路立即锁定系统直至复位。在IGBT应用中，还需特别关注短路耐受时间(通常仅有10μs左右)，要求保护电路具有极快的响应速度。过压保护过压保护主要防止功率开关在开关过程中因感性负载或寄生电感引起的电压尖峰。主要保护方法包括：钳位电路，使用齐纳二极管或瞬态抑制二极管(TVS)钳位电压尖峰；缓冲网络(snubber)，使用RC或RCD网络吸收开关能量并抑制电压振荡；有源钳位，使用辅助开关和电容吸收能量。此外，栅极驱动电路的设计也影响过压特性，合理控制开关速度可以在一定程度上减轻过压问题。过温保护过温保护防止功率器件因温度过高而损坏。主要保护方式包括：温度检测与关断，使用热电偶、热敏电阻或集成温度传感器监测散热器或器件温度，超过阈值时关断系统；温度依赖型限流，随温度升高自动降低最大允许电流；热管理策略，如智能调整开关频率或负载周期以控制发热。现代功率模块通常集成有温度传感器，可直接连接到控制电路实现温度保护。此外，还需设计合理的散热系统，包括散热器、风扇、热管等，确保正常工作温度下有足够的散热能力。第六章：开关电源基础1基本概念开关电源是利用电子开关工作在导通和关断两种状态，通过控制开关占空比来调节输出电压的电源。与传统线性电源相比，开关电源具有体积小、重量轻、效率高等显著优势，已成为现代电子设备中最主要的供电方式。2工作原理开关电源的工作原理涉及电能在不同形式间的转换：首先将输入的DC(或整流后的AC)转换为高频交流