《电子学场效应》课件.pptVIP

*************************************CMOS传输门结构组成由一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET并联构成，控制信号分别接入两个晶体管的栅极开关原理控制信号决定通断状态，双向传输，无电平损失应用场景数据选择器、模拟开关、动态逻辑电路等领域CMOS传输门是一种双向开关电路，能够在导通状态下允许信号双向传输，几乎没有电平损失。其工作原理是：当控制信号为高电平时，N沟道MOSFET导通，而控制信号的反相信号为低电平，使P沟道MOSFET也导通，此时传输门接通；反之，当控制信号为低电平时，两个MOSFET都截止，传输门断开。传输门的主要优势在于传输的信号不会有阈值电压损失，可以传输完整的电压范围。这一特性使其特别适合模拟信号开关和数据选择器应用。在复杂数字系统中，传输门常用于构建多路复用器、触发器和动态逻辑电路。现代集成电路中，传输门是实现复杂开关矩阵和可重构逻辑的关键元件。功率MOSFET垂直结构电流垂直流动，有效利用芯片面积，提高电流密度1单元阵列由成千上万个小单元并联组成，均匀分布电流高耐压设计通过漂移区和场板技术实现高击穿电压散热优化专用封装和散热设计，提高功率处理能力功率MOSFET是专为处理大电流和高电压设计的场效应晶体管。与普通MOSFET相比，功率MOSFET采用垂直沟道结构，电流垂直流过芯片，大大提高了电流密度。现代功率MOSFET通常采用VDMOS（垂直双扩散MOS）或TrenchMOS（沟槽MOS）工艺，以优化导通电阻和开关特性。功率MOSFET的主要应用领域包括开关电源、直流-直流转换器、电机驱动、逆变器和各类功率控制系统。它们凭借快速开关速度、低导通电阻和良好的温度特性，已在中低电压（通常200V）应用中取代了功率BJT。在更高电压领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结合了MOSFET和BJT的优势，成为主流器件。功率MOSFET驱动电路电压驱动利用专用IC或分立元件电路，提供足够的栅极电压摆幅。驱动电压通常需要10-15V以充分开启功率MOSFET，减小导通电阻。电压驱动电路需要考虑栅极充放电过程，设计合适的驱动强度和速度控制。电流驱动关注栅极充放电过程中的电流控制，通过提供足够大的驱动电流，加快栅极电容的充放电，提高开关速度。通常采用推挽或图腾柱输出级，结合适当的缓冲和限流电阻，优化开关过程。光耦隔离驱动在高侧驱动或需要电气隔离的场合，采用光耦或磁耦合器件实现控制信号和功率驱动的隔离。隔离驱动可以防止高电压反馈损坏控制电路，提高系统安全性和抗干扰能力。场效应管在开关电源中的应用PWM控制在开关电源中，场效应管（通常是功率MOSFET）作为高速开关元件，由PWM（脉宽调制）控制器驱动。PWM控制器根据输出电压反馈，调整场效应管的导通时间比例（占空比），从而稳定输出电压。场效应管的快速开关特性使得开关电源可以工作在几十kHz到几MHz的频率范围，大大减小了变压器和滤波器的体积。现代电源管理IC通常集成了PWM控制器和驱动电路，简化了外部设计。同步整流传统整流电路使用二极管，存在较大的正向压降损耗。同步整流技术用功率MOSFET替代二极管，利用其低导通电阻特性，大幅降低了整流损耗，提高了电源效率。同步整流MOSFET的控制需要精确的时序，通常由专用控制器或驱动IC管理，以防止直通（两个MOSFET同时导通）和优化死区时间。在高频高效电源中，同步整流技术已成为标准配置，尤其在低电压大电流应用中效果显著。场效应管在电机驱动中的应用H桥电路H桥是控制直流电机正反转的基本电路结构，由四个功率MOSFET组成。通过控制不同MOSFET的开关状态，可以改变电流方向，实现电机的正转、反转和制动。现代H桥驱动IC集成了MOSFET驱动器、保护电路和逻辑控制，简化了设计。无刷直流电机驱动无刷直流电机（BLDC）驱动通常采用三相逆变器结构，由六个功率MOSFET组成。根据转子位置传感器（霍尔传感器或编码器）的信号，控制器按特定顺序开关MOSFET，产生旋转磁场驱动电机。BLDC驱动凭借高效率和精确控制，广泛应用于伺服系统和精密运动控制。变频驱动器变频驱动利用功率MOSFET或IGBT构成逆变器，将直流电转换为可变频率的交流电，驱动交流感应电机。通过控制输出频率和电压，实现电机的软启动、调速和转矩控制。变频技术大大提高了交流电机系统的能效和控制精度，在工业自动化中应用广泛。场效应管在模拟开关中的应用单刀单掷开关最基本的模拟开关由一个N沟道MOSFET或CMOS传输门构成，控制一个信号通路的通断。单刀单掷开关广泛应用于信号路由、采