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第四章存储系统;4.1概述;存储器相关特性;存储器的分类;存储器的分类;存储器的分类;存储器的分类;存储器的分类;存储器的分类;存储系统的层次结构;存储系统的层次结构;存储系统的层次结构;4.2半导体存储单元与存储芯片;双极型存储单元与芯片;双极型存储单元与芯片;双极型存储单元与芯片;双极型存储单元与芯片;双极型存储单元与芯片;双极型存储单元与芯片;静态MOS存储单元与芯片;静态MOS存储单元与芯片;静态MOS存储单元与芯片;静态MOS存储单元与芯片;静态MOS存储单元与芯片;动态MOS存储单元与芯片;动态MOS存储单元与芯片;动态MOS存储单元与芯片;3.存储芯片DRAM〔Intel2164〕;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.2.4半导体只读存储器;4.3主存储器组织;4.3.1主存储器的逻辑设计;4.3.1主存储器的逻辑设计;4.3.1主存储器的逻辑设计;低位地址分配给芯片,高位地址形成片选逻辑。;3.连接方式;4.3.1主存储器的逻辑设计;4.3.1主存储器的逻辑设计;4.3.1主存储器的逻辑设计;4.3.1主存储器的逻辑设计;作业:某机的主储存器与外设统一编址,内存地址空间为从第0号单元开始的连续空间,容量为16K×8位,外设占用16KB。由2k×8位的EPROM芯片组成前4KB,由4k×4位和8k×8位的SRAM芯片组成后12KB。Ai为地址输入端,Di为数据输出端〔EPROM〕或数据输入输出端〔SRAM〕,-CS为片选端〔低电平有效〕,PD/PGM为低且-CS有效时EPROM数据可输出,R/W为SRAM的读写端。
〔1〕每一EPROM芯片和SRAM芯片各有多少地址输入线和数据线?
〔2〕各种芯片各需要多少片?
〔3〕假设CPU访问储存器和外设的信号有:R〔读命令〕,W〔写命令〕,AB0~AB15〔输出,地址总线〕及双向数据总线DB0-DB7.试画出该存储器各芯片与CPU连线的逻辑示意图,并注明地址分配及片选逻辑。;4.3.2主存储器与CPU的连接;4.3.2主存储器与CPU的连接;4.3.3动态存储器的刷新;4.3.3动态存储器的刷新;4.3.3动态存储器的刷新;4.3.4主存储器的校验方法;4.3.4主存储器的校验方法;4.3.4主存储器的校验方法;4.4磁外表存储原理;记录介质??磁头;读写原理;读写原理;磁记录编码方式;磁记录编码方式;磁记录编码方式;磁记录编码方式;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;练习;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;磁外表存储器校验方法;练习
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