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界面态对器件性能影响调研报告no 8 interface state8号接口状态.pdf

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界面态对TFT器件性能的影响调研报告

——第八小组TFT2_PartOne(第八题)

一、前言

当氮化硅沉积在a-Si:H表面时,TFT的界面特性将受到一定的影响。在对两种薄膜晶

体管结构(顶栅型TFT和底栅型TFT)的界面态特性对TFT器件性能影响的研究中,TFT性

能受氮化物性能、SiH4和NH3气体流量比、RF溅射功率、a-Si:H厚度等的影响极大,其中

a-Si:H和a-SiNx:H之间的界面特性是影响TFT性能的主要

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