微电子概论（第3版）课件2-3-5pn结雪崩击穿.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

目录1.pn结击穿特性2.3.5pn结击穿2.雪崩击穿3.隧道击穿4.雪崩击穿与隧道击穿的比较5.热电击穿

1.pn结击穿特性一般情况下反偏情况下流过pn结电流为IS若反偏电压达到一定值，反向电流突然急剧增大，趋于无穷大，称之为pn结击穿。发生击穿时的反偏电压称为击穿电压。击穿现象击穿电压VB注意：实际测量VB时指反向电流增大到一定值IB（不是无穷大）时的反偏电压。

2.雪崩击穿(1)雪崩击穿机理(a)碰撞电离载流子在晶体中运动时如果与晶格原子发生碰撞，将能量传递给晶格上的价电子，使其能够脱离晶格原子束缚，成为自由电子，从而产生了新的电子-空穴对，称为碰撞电离。

2.雪崩击穿(1)雪崩击穿机理(b)雪崩倍增反偏pn结中从p区抽出到n区的少子电子以及从n区抽出到p区的少子空穴构成反向饱和电流IS

2.雪崩击穿(1)雪崩击穿机理(b)雪崩倍增若反偏电压绝对值↑导致势垒区电场足够强使得势垒区内发生碰撞电离，产生新的电子-空穴对在势垒区强电场作用下，新产生的电子和空穴作漂移运动，导致反向电流增大，称为倍增。

2.雪崩击穿(1)雪崩击穿机理(c)雪崩击穿若电场足够强到使得新产生的电子-空穴对也能产生碰撞电离。这种连锁反应导致载流子雪崩似的剧增。使得反向电流趋于无穷大，表现为“击穿”，称为雪崩击穿。

2.雪崩击穿(2)雪崩击穿电压定量分析得，雪崩击穿电压主要取决于轻掺杂一侧掺杂浓度单边突变结雪崩击穿电压的表达式：式中NB为轻掺杂一侧的掺杂浓度显然，击穿电压与轻掺杂一侧的掺杂浓度密切相关。如果pn结轻掺杂一侧的掺杂浓度越低，则势垒区越宽，为了使碰撞电离产生明显的倍增效应，进而能达到引起雪崩击穿的强电场，所需要的外加电压（即击穿电压）就自然要高。

2.雪崩击穿(2)雪崩击穿电压单边突变Si平面pn结雪崩击穿电压与轻掺杂一侧掺杂浓度的关系说明：平面pn结指p区与n区交界面（即冶金结面）为平面的pn结。在集成电路生产中为了提高击穿电压，就需要降低轻掺杂一侧掺杂浓度，提高材料电阻率，这是保证击穿电压最基本的工艺控制因素。

2.雪崩击穿(3)平面工艺pn结的雪崩击穿电压平面工艺pn结冶金面的形状特点对于制造集成电路芯片的平面工艺而言，p区与n区交界面并不完全为平面。正对掺杂窗口的下方为平面结与掺杂窗口四边对应的为柱面结与掺杂窗口四个顶角对应的为球面结

2.雪崩击穿(3)平面工艺pn结的雪崩击穿电压根据尖端放电的原理，在同一个反偏电压作用下，球面结耗尽层中的电场最集中，导致平面工艺pn结的球面结部分最先击穿。击穿电压低于完全平面结的击穿电压。球面结的曲率半径对应掺杂结深，因此结深越浅，击穿电压下降得越多。

2.雪崩击穿(3)平面工艺pn结的雪崩击穿电压球面结、柱面结对击穿电压的影响

2.雪崩击穿(4)雪崩击穿电压的温度系数温度升高，晶格振动强度增强，载流子与晶格发生碰撞的概率增大，则平均自由程下降。为了在较短的自由程中积累到能够发生碰撞电离的能量，就要求电场更强，为此需要提高反偏电压绝对值，因此击穿电压增大。结论：雪崩击穿电压具有正温度系数。在集成电路基准源设计中有所应用。