微电子概论（第3版）课件2-4-6B_BJT开关作用.pptx

目录1.晶体管开关作用与开关电路2.4.6BJT开关特性2.晶体管开关应用的两种稳定状态?3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布4.BJT开关过程分析5.BJT开关参数6.提高开关速度的主要技术途径

4.BJT开关过程分析(1)从断开到导通的过程分析设BJT初始状态为稳定的截止状态。t=0时输入端从低电平转为高电平，BJT将从截止（对应断开工作状态）转为饱和（对应导通工作状态）

4.BJT开关过程分析分析BJT从截止转变为饱和过程中基区少子分布变化过程的不同阶段特点，可以确定这一过程中输出端电流IC随时间的变化情况。(1)从断开到导通的过程分析

第①阶段：首先基区中x=0处少子浓度从0变向nB0，VBE从反偏变为0偏这段时间内BJT还处于截止状态，IC很小。

第②阶段：EB结转为正偏后向临界放大状态转变，基区少子分布斜率不断增大，直到进入临界放大状态。基区将存储有电荷QBS随着少子分布斜率不断增大，IC也不断增大。

第③阶段：器件进入饱和状态，基区少子分布斜直线平行上移，BC结正偏。基区将存储有较多的过饱和电荷QBX。但是这一过程中IC基本不变。③

③说明：进入饱和后，只要输入维持高电平，输出电流IC就保持不变。在第③阶段，输出为饱和电流，器件已处于导通状态，因此这阶段时间长短不影响器件开关速度。

4.BJT开关过程分析(2)从导通到断开的过程分析高电平作用下BJT处于稳定的导通状态。记t=t3时输入端从高电平转为低电平，BJT将要从饱和（对应导通工作状态）转为截止（对应断开工作状态）

4.BJT开关过程分析分析BJT从饱和转变为截止过程中基区少子分布变化过程不同阶段的特点，可以确定这一过程中输出端电流IC随时间变化的情况。(2)从导通到断开的过程分析

③④第④阶段：脱离饱和状态，基区少子分布斜直线平行下移，直到第③阶段存储的电荷QBX被全部“抽走”，BC结转向0偏。在第④阶段中IC基本不变。

③④注意：QBX越多，则存储时间越长。从t=t3开始的一段时间内，输入已经为低电平，但是输出电流IC仍然较大，器件还是处于导通状态。这段时间称为存储时间。

③④⑤第⑤阶段：从临界放大状态转向BE结0偏，基区少子分布斜率逐步变小。IC不断减小。

③④⑤第⑥阶段：BE结转为反偏，两个结均反偏，器件截止，真正成为“断开”状态。IC很小。⑥

4.BJT开关过程分析说明：前面瞬态过程分析重点围绕基区少子的变化情况，这是主要影响因素。实际情况下，发射区和集电区少子分布也发生类似变化。同时BE结和BC结两个势垒区宽度也会发生变化，伴随有两个势垒电容的充放电。这些因素只是使得前面分析中各个阶段的转变过程更长，并不会影响输出电流变化的趋势。思考题：结合BJT输出特性曲线，说明转变过程中涉及的6个阶段对应BJT的工作点在负载线上如何变化？