微电子概论（第3版）课件2-4-7BJT模型EM2.pptx

目录1．BJT模型：E-M模型与G-P模型2.4.7BJT模型与模型参数2．E-M1模型3．E-M2模型4．E-M3模型5．讨论

3．E-M2模型在描述直流特性的EM-1模型基础上，再考虑串联电阻、势垒电容和扩散电容的影响，就得到考虑寄生电阻和交流特性和瞬态响应的EM-2模型

考虑基区、发射区和集电区3个区域的串联电阻，新增3个模型参数：RB、RE、RC3．E-M2模型(1)串联电阻外加电压减去串联电阻上的压降就是加在势垒区两端的压降

3．E-M2模型(2)势垒电容反偏情况下势垒电容的一般表达式为：CJ＝CT0(1-V/VJ)-mj包含3个模型参数：CT0:零偏势垒电容；VJ:势垒内建电势；mj:电容指数。对eb结势垒电容，新增3个模型参数：CTE0、VJE和MJE对bc结势垒电容，新增3个模型参数：CTC0、VJC和MJC对IC考虑衬底结势垒电容，新增3个模型参数：CTS0、VJS和MJS

3．E-M2模型(3)扩散电容发射结扩散电容为：Cde＝τF(eICC/kT)新增一个模型参数：TF(正向渡越时间)集电结扩散电容为：Cdc＝τR(eIEC/kT)新增一个模型参数：TR(反向渡越时间)。

3．E-M2模型(4)等效电路在EM-1模型等效电路中新增三个电阻、三个势垒电容、两个扩散电容，成为EM-2模型等效电路。外加电压加在晶体管引出端B、E、C，减去相应串联电阻上的压降就是势垒区两端压降。

3．E-M2模型(4)等效电路EM-2模型新增14个模型参数新增的参数中串联电阻、零偏势垒电容、渡越时间默认值均为0。如果这几个模型参数均采用默认值，EM-2模型就退化为EM-1模型。