微电子概论（第3版）课件2-6-5MOSFET阈值电压.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.MOS阈值电压的基本表达式2.6.5MOSFET的阈值电压2.阈值电压与衬底电压的关系4.阈值电压VT的控制3.阈值电压与沟道尺寸的关系

由MOSFET工作原理物理过程分析可知，对增强型NMOS器件，只有当栅源电压大于阈值电压VT后，才能形成导电沟道。而且阈值电压对器件特性，例如饱和电流、跨导、特征频率等均有重要影响。因此阈值电压是表征MOSFET的一个非常重要的模型参数，也是集成电路设计以及制造过程中需要重点控制的一个参数。

1．MOS阈值电压的基本表达式阈值电压是使得半导体表面强反型形成导电沟道需要施加的栅源电压。由器件物理得出：VT与栅极材料、栅绝缘层材料类型和厚度、衬底掺杂浓度，以及半导体与二氧化硅界面的质量等因素有关。对NMOSFET，在衬底与源短接的情况下，可得VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2下标0表示这是衬底与源短接情况下的阈值电压。下面分别介绍VT0表达式中每一项的含义。(1)衬底与源短接的情况下的VT

1．MOS阈值电压的基本表达式VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2(2)平带电压VFB第一项VFB描述栅极材料和衬底材料间的功函数差以及栅氧化层的影响。式中：ФMS等于栅极材料和衬底材料间的功函数差除以电子电荷；QSS为氧化层表面电荷密度，通常为(2～8)×10－8C/m2；Cox=(εrε0/Tox)为单位面积栅氧化层电容。其中Tox是栅氧厚度，是控制阈值电压的一个重要参数。分析可得

1．MOS阈值电压的基本表达式(3)费米势ΦF第二项费米势描述了衬底掺杂浓度Nsub对阈值电压的影响集成电路生产中改变衬底掺杂浓度是调控阈值电压的重要途径之一。VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2分析可得

1．MOS阈值电压的基本表达式(4)体效应系数γ第三项γ(2ΦF)1/2描述了沟道下方耗尽层对阈值电压的影响体效应系数将用于描述村底偏置电压对阈值电压的影响VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2分析可得其中体效应系数为

2．阈值电压与衬底电压的关系分析可得，若衬底与源之间加有偏压VBS，则阈值电压VT可表示为：因此调整VBS可以改变阈值电压这一结果在实际应用中有很大作用例如，在有些超大规模集成电路设计中，对那些处于等待状态的器件，只要使他们的衬底与源之间为反偏，使得VBS为负值，就能提高阈值电压，使这些器件处于较深的截止状态，泄漏电流得到大幅度降低，从而可以明显地降低待机功耗。VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2

3．阈值电压与沟道尺寸的关系阈值电压表达式与MOSFET的沟道长度L以及宽度W均无关。实际情况是，随着L和W的减小，出现的短沟道效应以及窄沟道效应均对阈值电压产生明显影响。VT随L的减小而减小，VT随W的减小而增大。通常讲的长沟道器件就是指沟道长度大于3μm的器件。随着沟道长度减少到纳米范围，短沟道效应的影响，包括对阈值电压的影响更加明显，促使MOSFET器件结构必须不断改进。VT0＝VFB＋2ΦF＋γ(2ΦF)1/2

4．阈值电压VT的控制(1)阈值电压VT的控制要求阈值电压对器件特性，例如饱和电流、跨导、特征频率等均有重要影响。例如，若VT较低，则饱和电流较大，驱动能力强。但是截止状态下的泄漏电流也增大，导致关态时泄漏电流较大；若VT较高，则截止状态下的泄漏电流较小，但是饱和电流则减小。因此阈值电压是表征MOSFET的一个非常重要的模型参数，也是集成电路设计以及制造过程中需要重点控制的一个参数。

4．阈值电压VT的控制(1)阈值电压VT的控制要求目前通常根据工作电压控制合适的阈值电压。

4．阈值电压VT的控制(2)阈值电压VT的控制途径阈值电压表达式中包含氧化层电荷密度QSS的影响。但是由于QSS是非受控因素，不可能通过控制QSS的数值来调整VT，因此应该使QSS尽量小，最大限度减少QSS对VT的影响。对半导体材料Si，100方向氧化层电荷比111方向低一个数量级，所以目前Si材料MOSFET集成电路都采用100方向Si。(a)栅氧化层质量控制

4．阈值电压VT的控制(2)阈值电压VT的控制途径使COX尽量大，就可以进一步减小QSS的影响①薄栅工艺：目前工艺中栅氧为几十埃注意：为了减小场区寄生MOS晶体管的作用，MOS工艺场氧区采用厚氧化层，一般为零点几微米。②栅介质采用高k介质，使ε尽量大注意：为了减小多层互连线之间寄生电容，金属层之间应采用低k绝缘材料。(b)控制单位面积栅氧电容由COX=ε/dOX，控制COX的主要途径是

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