微电子概论（第3版）课件2-3-1平衡pn结A.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.pn结二极管结构与特点2.3.1平衡状态下的pn结2.平衡状态下pn结的特点4.pn结耗尽层宽度3.势垒区两侧边界处载流子浓度的关系

大多数半导体器件（包括集成电路），都包含一个或者多个pn结（pnJunction）。这些器件的特性均与pn结密切相关，因此深入理解并熟练掌握pn结原理是学习其他半导体器件理论的关键。引言：

1．pn结二极管结构与特点(1)pn结结构半导体材料一个区域为p型，相邻区域为n型，则组成pn结。p区与n区的交界面称为冶金结。

1．pn结二极管结构与特点(1)pn结结构平面工艺生成pn结的工艺：选择性掺杂。为便于分析，采用剖面图并且旋转90度，采用一维方式显示杂质分布。

1．pn结二极管结构与特点(1)pn结结构只要p区与/或n区为非均匀掺杂，则称为缓变结（GradedJunction）。Xj为冶金结面与半导体表面之间的距离，称为结深（JunctionDepth）。

1．pn结二极管结构与特点(1)pn结结构说明：早期pn结采用“合金”工艺制备，其特点是掺杂为均匀分布。若p区与n区均为均匀掺杂，则称为突变结（StepJunction）。

1．pn结二极管结构与特点(1)pn结结构说明：为了突出物理过程，本节以突变结为对象介绍pn结基本工作原理。

1．pn结二极管结构与特点(2)pn结单向导电性正偏，Va0，则I0正向电流I随Va增加急剧增加。Va绝对值增加，反向电流几乎不变。反偏，Va0，则I0，电流反向流动称为反向饱和电流，记为Is。反向电压绝对值增大到一定值时，流过的电流突然急剧增大，这一现象称为二极管的“击穿”。