微电子概论（第3版）课件2-3-1平衡pn结E.pptx

目录1.pn结二极管结构与特点2.3.1平衡状态下的pn结2.pn结平衡状态的建立过程3.耗尽层、空间电荷区、势垒区4.势垒区两侧边界处载流子浓度的关系5.pn结耗尽层宽度

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析高斯定理（积分形式）预备知识：高斯定理与泊松方程微分形式-泊松方程：基于势垒区电荷分布，求解泊松方程，就可以得到势垒区中电场、电位分布。

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析由突变结空间电荷区电荷分布(a)数学模型：泊松方程与边界条件代入泊松方程得

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析电位:φ1(0)=φ2(0)φ1(-xp)=0(取p区为电位参考点)φ2(xn)=Vbi边界条件为：(a)数学模型：泊松方程与边界条件电场：E1(0)=E2(0)E1(-xp)=0E2(xn)=0

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析(b)突变pn结势垒区电场分布解得势垒区中电场分布为：电场：E1(0)=E2(0)E1(-xp)=0E2(xn)=0边界条件为：

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析①线性分布结果讨论：若不是突变结，电场还会是线性分布吗？思考题(b)突变pn结势垒区电场分布

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析②E(x)为负：电场方向从n区指向p区。③最强电场位置：x=0，即冶金结面处。最强电场:|E(0)|=eNaxp/ε=eNdxn/ε=Q/ε。结果讨论：(b)突变pn结势垒区电场分布

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析由φ1(0)=φ2(0)φ1(-xp)=0φ2(xn)=Vbi边界条件为：解得势垒区中电位分布为：(c)突变pn结势垒区电位分布

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析讨论：(c)突变pn结势垒区电位分布①电位分布曲线形状分析

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析讨论②：Vbi的另一种表达形式由：得：(c)突变pn结势垒区电位分布

5.pn结耗尽层宽度(1)突变pn结势垒区电场、电位定量分析讨论③：单边突变结情况由电中性条件：eNaxp=eNdxn=Q若NdNa，则xpxn得对单边突变结，Vbi主要降落在轻掺杂一侧。结论(c)突变pn结势垒区电位分布

5.pn结耗尽层宽度(2)突变pn结势垒区宽度定量分析(a)定量分析由Vbi表达式：以及电中性条件：eNaxp=eNdxn求解得两个未知数xp和xn（取有意义的解），得：以及：

5.pn结耗尽层宽度①单边突变结情况：若NdNa，得单边突变结的势垒区宽度主要在轻掺杂一侧结论而且与轻掺杂一侧的掺杂浓度开方成反比。(b)结果讨论(2)突变pn结势垒区宽度定量分析(2)突变pn结势垒区宽度定量分析

5.pn结耗尽层宽度②W0表达式形式可近似用于有外加偏置电压作用情况记Va为p区相对n区的外加电压，因此n区相对于p区的电势差为(Vbi-Va)则近似有：正偏情况Va0，则WW0，耗尽层变窄。反偏情况耗尽层变宽。结论W近似与反偏电压绝对值的开方成正比。(b)结果讨论(2)突变pn结势垒区宽度定量分析

5.pn结耗尽层宽度T=300K下的Si-pn结，Na=1015/cm3,Nd=1016/cm3,计算得：实例xn=0.086μm，xp=0.864μm，W0=0.95μm若外加反向偏置，Va=-10V,计算得W=3.89μm。通常势垒区宽度为微米量级。(c)数值实例(2)突变pn结势垒区宽度定量分析