微电子概论（第3版）课件2-5-3-A-VGS为0情况特性分析.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.VGS=0情况下源漏特性2.5.3JFET直流特性定性分析2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性4.JFET直流转移特性3.截止区与夹断电压

n沟耗尽型JFET直流特性曲线实例：图示为漏源电流ID和漏源电压VDS之间的关系曲线，控制电压VGS为参变量。下面以该特性曲线为对象，从电流传输过程分析JFET的直流特性工作原理。

复习反偏p+n结势垒区宽度与外加偏置电压Vpn关系：说明1反偏情况，Vpn为负。说明2势垒区宽度W与Vpn之间有一一对应关系，无论知道其中哪一个量，就唯一确定另一个量。说明3后面分析中要关注不同情况下的偏置情况以及沟道形状特点

1.VGS=0情况下源漏特性(1)偏置与导电沟道形状①偏置情况VGS=0；VDS≥0.②导电沟道形状特点分析VGS=0VDS≥0→P+型栅区均为0电位→沟道中从漏到源电位不断减小→沟道区源端pn结0偏，漏端pn结反偏→沟道区中源端沟道截面积最大沿沟道方向从源到漏沟道截面积不断减小漏端沟道截面积最小

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(a)线性区VDS很小→沟道方向沟道截面积不相等现象很不明显→沟道相当于是一个截面积均匀的电阻→源漏电流ID随VDS几乎是线性增加固定VGS=0，随着VDS从0开始不断增大，导电沟道随之变化，导致器件特性呈现不同特点。称这种工作状态为线性区，对应特性曲线上OA段。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(b)过渡区VDS增大→沟道方向沟道截面积不相等现象逐步明显→漏端pn结耗尽层加宽，漏端沟道变窄→沟道电阻↑→源漏电流ID随VDS增加趋势变缓，偏离直线。对应特性曲线上B点附近一小段范围。线性区与过渡区又统称欧姆区，也称为Triode区。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(c)夹断VDS增加到使漏端因耗尽层宽度进一步加宽导致沟道截面积减小到零，称为沟道“夹断”（Pinchoff）记相应VDS和ID为VDS(sat)和IDSS，对应特性曲线上C点通常用符号VDS(sat0)表示VGS=0情况下的夹断电压。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(c)夹断VDS(sat0)电压的特点：注意VDS(sat0)是夹断点与源之间的电位；也是夹断点与栅之间的电位差；也是使耗尽层正好使沟道厚度等于0时的电位差。因此，不管夹断点在什么位置，夹断点与栅之间的电位差都保持不变，为VDS(sat0)。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(d)饱和区VDSVDS(sat0)，漏端pn结耗尽层进一步扩大。夹断点逐步向源端移动但是夹断点与栅之间的电位差都保持不变，为VDS(sat0)；而现在VGS=0，因此夹断点与源之间（即有效沟道两端）的电位差也保持VDS(sat0)不变。若原始沟道较长（长沟道），则有效沟道长度基本不变；结果是通过沟道区的电流基本维持为IDsat不变，称这一区域为饱和区。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(d)饱和区VDSVDS(sat0)沟道已夹断为什么还有电流？讨论一沟道夹断后，（VDS-VDS(sat0)）是降在漏极与夹断点之间耗尽层上的电压。从源出发的电子在沟道电场作用下漂移到达夹断点后立即被漏极与夹断点之间耗尽层中的强电场扫向漏极，保持电流的连续性。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(d)饱和区VDSVDS(sat0)沟道调制效应（Channellengthmodulation）讨论二随着VDS的增大，夹断点向源端移动，虽然夹断点与源之间电位差保持VDsat不变，但是有效沟道长度Leff将会变小，将使IDS略有增加，称为沟道调制效应。只要沟道较长，夹断后IDS的增加非常缓慢，可视为维持饱和。（详见MOS非理想因素二）。

1.VGS=0情况下源漏特性(2)ID-VDS关系分析(e)击穿区如果VDS再继续增加，使栅和漏极之间反偏电压过大，导致pn结击穿，使JFET进入击穿区。记这时电压为BVDS0。