微电子概论（第3版）课件3-4A_扩散工艺.pptx

目录1．扩散掺杂原理与特点3.4扩散掺杂工艺2．常用扩散掺杂方法3．扩散掺杂工艺的表征参数4．扩散工艺与集成电路设计的关系

1．扩散掺杂原理与特点(1)扩散现象扩散是一种常见的自然现象。由于热运动，任何物质都有一种从浓度高处向浓度低处运动，使其趋于均匀分布的趋势，称之为扩散现象。若杂质分布不均匀，由扩散运动形成的杂质扩散流FD与浓度梯度成正比：式中，N为杂质浓度；D为杂质的扩散系数。室温下气体扩散现象就很明显。液体中也能观察到扩散现象。而在固体中室温下的扩散现象几乎可以忽略不计。

1．扩散掺杂原理与特点(2)扩散掺杂原理反映扩散快慢的扩散系数与温度之间的关系为温度升高时扩散系数迅速增加。生产中一般在1000～1200℃高温下进行扩散，这时杂质在晶片中扩散较快。当达到一定分布时迅速将温度降至室温，这时杂质的扩散系数变得很小，扩散运动可以忽略，相当于使高温下扩散过程中形成的杂质分布被“冻结”而固定下来因此扩散掺杂的基本原理就是“高温扩散、室温冻结”。

1．扩散掺杂原理与特点(2)扩散掺杂原理如果对一片表面氧化层上通过光刻已刻蚀有窗口的晶片进行扩散，由于氧化层对杂质扩散的“掩蔽作用”，掺杂原子只能通过氧化层上窗口到达硅材料内部，这就实现了选择性掺杂。

1．扩散掺杂原理与特点(3)扩散掺杂特点①掺杂区杂质分布不均匀，从表面处杂质浓度最高，向内部逐渐降低。分析问题时通常只描述扩散掺杂区范围掺入杂质浓度等于衬底掺杂浓度的位置与表面之间的距离为结深xj

1．扩散掺杂原理与特点(3)扩散掺杂特点硅片表面上二氧化硅层窗口向硅内扩散的杂质既向下也向侧面扩散，这一现象称为横向扩散。横向扩散不仅使实际的扩散层宽度大于氧化层窗口尺寸，而且最终的结面形状不完全是平面：底部是平面结面、与侧边对应的是四个柱面、与四个顶点对应的是四个球面。②存在“横向扩散”现象。

1．扩散掺杂原理与特点(3)扩散掺杂特点②存在“横向扩散”现象。这两个特点对晶体管特性以及集成电路设计均有重要影响。

2．常用的扩散掺杂方法(1)液态源扩散液态源扩散的设备与氧化设备类似。保护气体（如氮气）通过含有扩散杂质的液态源，携带杂质蒸汽进入处于高温下的扩散炉中。在高温下，杂质蒸汽分解，在硅片四周形成饱和蒸汽压，杂质原子经过硅片表面向内部扩散。形成npn双极型晶体管发射区时要掺入杂质磷，一般就采用这类方法。

2．常用的扩散掺杂方法(2)其他扩散方法其他扩散掺杂方法主要是扩散源形式不同，扩散掺杂原理一样。(a)片状源扩散含有掺杂物质的是一种外形与硅圆片相似的片状固体扩散源，扩散时将它们与硅片间隔放置，并一起放入高温扩散炉中。生产中掺硼扩散时常用氮化硼片作为扩散源就属于这一情况。

2．常用的扩散掺杂方法(2)其他扩散方法(b)固—固扩散首先在硅片表面用化学气相淀积等方法生长薄膜的过程中同时在膜内掺入一定的杂质，然后以这些杂质作为扩散源在高温下向硅片内部扩散。掺杂的薄膜可以是掺杂氧化物、掺杂多晶硅、掺杂氮化物等。多晶硅发射极双极晶体管的发射区掺杂就是这种情况。