微电子概论（第3版）课件3-7B_金属化.pptx

目录1．金属化互连的作用与基本流程3.7金属化2．常用的互连金属材料3．电极和金属互连结构4．金属层制备工艺5．表面平坦化工艺CMP

4．金属层制备工艺(1)真空蒸发在高真空蒸发工作室中使金属原子获得足够能量，脱离金属表面束缚成为蒸汽原子，在其飞行途中遇到基片就淀积在基片表面形成金属薄膜。按提供能量的方式不同，蒸发方法分为两种。①钨丝加热蒸发在钨丝上挂有金属材料（如Al丝），当电流通过钨丝时产生欧姆热，使金属材料熔化蒸发。

4．金属层制备工艺(1)真空蒸发②电子束蒸发由加热灯丝产生的电子束通过电磁场，在电场加速下具有足够高能量的电子束由磁场控制偏转运动方向，使其准确打到蒸发源材料中心表面上。高速电子与蒸发源表面碰撞时放出能量使蒸发源材料熔融蒸发。电子束蒸发淀积膜纯度高，钠离子污染少，已基本取代钨丝加热蒸发。

4．金属层制备工艺(2)真空溅射在真空溅射工作室中充入一定的惰性气体，在高压电场作用下由于气体放电形成离子，受强电场加速轰击靶源材料使靶源材料的原子逸出，高速溅射到硅片上淀积成需要的薄膜。用溅射方法能形成合金和难熔金属薄层。在集成电路发展早期，广泛采用蒸发技术形成金属层，但目前已越来越多地被溅射技术的代替。

4．金属层制备工艺(3)制作Cu互连的“镶嵌技术”(a)形成铜互连的基本步骤①采用等离子刻蚀等技术在介质层（例如SiO2）上刻蚀出用于镶嵌铜互连线的沟槽