微电子概论（第3版）课件4-4-2CMOS集成器件与电路设计-CMOS电路中的寄生效应 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.4.1硅栅CMOS器件4.4CMOS集成器件与电路设计4.4.2CMOS电路中的寄生效应目录4.4.3CMOS集成电路版图设计实例

1.寄生电阻和电容寄生电阻包括：掺杂区体电阻、接触孔电阻、互连线电阻WLDDrainDraincontactPolysilicongateSGDRSRDVGS接触电阻RC源漏串联电阻互连线结构示意图

1.寄生电阻和电容寄生电阻包括：掺杂区体电阻、接触孔电阻、互连线电阻互连线结构示意图?互连线寄生电阻

1.寄生电阻和电容寄生电容包括：MOS管寄生电容、金属/多晶互连线电容覆盖电容CGSO，CGDO横向扩散栅电容Cg

2.场区寄生MOSFET互连线跨接两个扩散区时，互连线下方会形成以两个扩散区为源、漏，互连线为栅的场区晶体管场区氧化层采用LowK介质场区氧化层比较厚难于反型LVS

3.寄生双极晶体管MOS结构导致的npn寄生晶体管当寄生晶体管有效基区宽度较小，且存在一个pn结正偏，会由于寄生双极晶体管导通或衬底注入而产生寄生电流，导致电路性能退化措施：设计规则保障足够的基区宽度；衬底低电位寄生MOSFET结构导致的npn寄生晶体管源、阱、衬底过构成的寄生晶体管（闩锁）

4.闩锁效应NMOS管的源、p型衬底与n阱之间构成寄生横向npn晶体管；PMOS管的源、n阱与p型衬底之间构成寄生纵向pnp晶体管。p型衬底寄生电阻、n阱寄生电阻当常情况下，所有pn结反偏状态，两个寄生双极晶体管都不导通如果两个晶体管进入有源区工作，则会形成正反馈，导致寄生双极晶体管流过大电流，致使电路故障措施：减小体电阻；埋层等

5.天线效应加工过程中，当大面积的金属与栅极相连时，在金属腐蚀过程中，金属会作为一个天线收集周围游离的带电离子，增加金属上的电动势，并传导给栅，随着栅电动势的增加，可能导致栅氧化层击穿措施：减小金属面积；增加保护二极管