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(最新)半导体试题(答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.本征半导体中，自由电子和空穴的浓度关系是（）

A.自由电子浓度大于空穴浓度

B.自由电子浓度小于空穴浓度

C.自由电子浓度等于空穴浓度

D.无法确定

答案：C

解析：本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。在本征半导体中，由于热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，所以自由电子浓度等于空穴浓度。

2.N型半导体中，多数载流子是（）

A.自由电子

B.空穴

C.离子

D.中子

答案：A

解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素形成的。五价杂质原子最外层有5个电子，与半导体原子形成共价键后会多余一个电子，这个电子很容易成为自由电子，所以N型半导体中多数载流子是自由电子。

3.二极管的正向偏置是指（）

A.阳极接高电位，阴极接低电位

B.阳极接低电位，阴极接高电位

C.阳极和阴极电位相等

D.以上都不对

答案：A

解析：二极管具有单向导电性，当阳极接高电位，阴极接低电位时，即给二极管加正向电压，二极管处于正向偏置状态，此时二极管导通。

4.某二极管反向击穿电压为100V，则其最高反向工作电压通常（）

A.略大于100V

B.等于100V

C.小于100V

D.不确定

答案：C

解析：为了保证二极管安全工作，其最高反向工作电压一般是反向击穿电压的一半左右，所以最高反向工作电压通常小于100V。

5.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

解析：三极管工作在放大区的条件是发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏使得发射区的多数载流子能够顺利注入基区，集电结反偏则可以将基区扩散过来的载流子收集到集电区，从而实现电流放大作用。

6.场效应管是一种（）控制型器件。

A.电压

B.电流

C.功率

D.电阻

答案：A

解析：场效应管是通过改变栅源电压来控制漏极电流的，属于电压控制型器件。与三极管这种电流控制型器件不同，场效应管输入电阻高，对信号源的影响小。

7.集成电路按功能可分为（）

A.数字集成电路和模拟集成电路

B.双极型集成电路和单极型集成电路

C.小规模集成电路和大规模集成电路

D.通用集成电路和专用集成电路

答案：A

解析：集成电路按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路。数字集成电路主要处理数字信号，模拟集成电路主要处理模拟信号。

8.以下哪种半导体存储器是易失性存储器（）

A.只读存储器（ROM）

B.随机存取存储器（RAM）

C.闪存（Flash）

D.电可擦可编程只读存储器（EEPROM）

答案：B

解析：随机存取存储器（RAM）在断电后存储的数据会丢失，属于易失性存储器。而只读存储器（ROM）、闪存（Flash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）在断电后数据不会丢失，属于非易失性存储器。

9.半导体材料的电阻率随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：半导体材料具有负的温度系数，即随着温度升高，半导体中的载流子浓度增加，导电能力增强，电阻率减小。

10.以下哪种半导体制造工艺用于在半导体表面形成一层绝缘层（）

A.光刻

B.蚀刻

C.氧化

D.掺杂

答案：C

解析：氧化工艺是在半导体表面形成一层二氧化硅绝缘层，用于隔离不同的器件区域。光刻用于将掩膜版上的图形转移到半导体表面；蚀刻用于去除不需要的半导体材料；掺杂用于改变半导体的电学性质。

二、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电性能介于______和______之间。

答案：导体；绝缘体

解析：导体具有良好的导电性能，绝缘体几乎不导电，而半导体的导电性能则处于两者之间，并且其导电性能会受到温度、光照、掺杂等因素的影响。

2.杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。

答案：N；P

解析：在本征半导体中掺入五价杂质元素形成N型半导体，掺入三价杂质元素形成P型半导体。

3.二极管的伏安特性曲线可分为______特性和______特性两部分。

答案：正向；反向

解析：二极管的伏安特性曲线描述了二极管两端电压与通过电流之间的关系，分为正向特性和反向特性。正向特性反映了二极管正向导通时的情况，反向特性反映了二极管反向偏置时的情况。

4.三极管有三个工作区域，分别是______区、______区和______区。

答案：放大；饱和；截止

解析：三极管在不同的偏置条件下会工作在不同的区域。放大区用于实现信号的放大；饱和区三