《先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术标准》标准征求意见稿.docx

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T/EJCCCSEXXXX—2025

1

先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术标准

1范围

本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。

本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层(3nm节点)的质量控制。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

层刻蚀layeretching

通过化学或物理方法选择性去除器件特定材料层的工艺过程。

3.2

超低损伤ultra-lowdamage

在先进半导体制造(如3nm/2nm节点)中,层刻蚀超低损伤技术是确保器件性能、可靠性和良率的关键工艺。

3.3

物理轰击损伤Physicalimpactdamage

在等离子体或离子束刻蚀过程中,高能粒子(离子、电子、中性粒子)与材料表面发生非弹性碰撞,导致晶格结构破坏、原子位移或化学键断裂的现象。其核心特征是由动能直接传递引发的机械性损伤,区别于化学反应导致的损伤。

3.4

TEM/C-V/AFM三联动three-waycouplingofTEM/C-V/AFM

对先进制程(3nm及以下节点)物理轰击损伤采用的从原子结构(TEM)、电学性能(C-V)和表面形貌(AFM)的三维度交叉验证方法。

3.5

化学污染损伤chemicalpollutiondamage

T/EJCCCSEXXXX—2025

2

在刻蚀工艺中,由反应气体副产物、腔体残留物或金属杂质引发的非预期表面化学反应,导致材料成分改变、界面特性劣化或电学性能下降的现象。其本质是非平衡等离子体化学与表面相互作用的副效应,区别于物理轰击导致的机械损伤。

3.6

选择比不足损伤choosemorethannotenoughdamage

在刻蚀工艺中,选择比未达到工艺要求导致非预期材料被过度刻蚀或结构形貌失控的现象。其核心矛盾是化学反应特异性不足与三维结构保真度需求之间的失衡。

3.7

选择比choosethan

刻蚀目标材料与掩膜或下层材料的刻蚀速率之比。

3.8

热损伤heatdamage

在刻蚀工艺中,由于等离子体能量转化或化学反应放热导致的局部温度升高,引发材料相变、应力畸变或界面特性退化的现象。其本质是非平衡热力学过程对材料微观结构的不可逆改变,区别于物理轰击或化学污染的损伤机制。

3.9

电荷积累损伤chargeaccumulationdamage

在等离子体刻蚀过程中,由于非平衡等离子体中电子与离子通量差异,导致带电粒子(电子/离子)在器件表面或介电层中非均匀沉积,引发局部电场畸变、介质击穿或界面态增加的物理现象。其本质是等离子体-表面电荷输运失衡导致的静电损伤。

3.10

表面处理超低损伤surfacetreatmentultralowdamage

指在半导体制造过程中,对材料表面进行清洁、改性或功能化处理时,将处理过程对材料本体(包括晶格结构、电学性能和化学成分)的负面影响控制在原子级精度的技术体系。其核心目标是实现零界面态(Dit≈0)和零晶格畸变的表面处理效果。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件。

Si/SiO?界面Silicon/SiliconDioxideInterface硅/二氧化硅界面

Si-H/Si-O键Silicon-Hydrogen/Silicon-OxygenBond硅-氢键/硅-氧键

SiNSiliconNitride氮化硅

TaSiNTantalumSiliconNitride钽硅氮化物(耐热掩模材料)

TEMTransmissionElectronMicroscopy透射电子显微镜

HR-TEMHigh-ResolutionTEM高分辨透射电镜

STEMScanningTEM扫描透射电镜

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3

AFMAtomicForceMicroscopy原子力显微镜

CAFMConductiveAFM导电原子力显微镜

SEMScanningElectronMicroscopy扫描电子显微镜

CD-SEMCriticalDimensionSEM关键尺寸扫描电镜

XPSX-rayPhotoelectronSpe

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