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+-RsUsRbUoUiRLIiIoRs+-Us2.电流增益AI:3.电压增益AU:?IoIiUiUo前面求过第61页,共90页,星期日,2025年,2月5日4.输出阻抗Ro:RsIo输出阻抗可按下图求解,图中作如下处理:(1).将输入信号Us短路,保留Rs。(2).将负载RL’开路,外加激励Uo,产生电流Io。Ro则:Ii输入:RsIi+hieIi+hreUo=0可得:UoUo第62页,共90页,星期日,2025年,2月5日(二)简化h参数模型微变等效电路简化的三极管h参数模型,如图所示。图中作了两处忽略:hre反映管子内部反馈因数量很小,可以忽略。hoe=1/rce为电导量纲,与电并联时分流极小,可作开路处理。图03.19三极管简化h参数模型1.h参数微变等效电路简化模型:第63页,共90页,星期日,2025年,2月5日1.U(BR)CBO——射极开路时的集电结击穿电压。BR表示击穿,CB表示集电极和基极,O表示第三个电极E开路。2.U(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。3.U(BR)CEO——基极开路时C极和E极间的击穿电压。U(BR)CER表示BE间接电阻,U(BR)CES表示BE间短路。击穿电压之间的关系:U(BR)CBO≈U(BR)CES>U(BR)CER>U(BR)CEO>U(BR)EBO第29页,共90页,星期日,2025年,2月5日由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可确定过损耗区、过电流区和击穿区,从而确定一个安全工作区。图02.12输出特性曲线上的过损耗区和击穿区第30页,共90页,星期日,2025年,2月5日四.半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管 第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频小功率管、K开关管第31页,共90页,星期日,2025年,2月5日表02.01双极型三极管的参数参数型号PCMmWICMmAVRCBOVVRCEOVVREBOVICBOμAfTMHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C5005040300.353DD101D5A5A3002504≤2mA3DK100B100302515≤0.13003DKG23250W30A4003258注:*为f?第32页,共90页,星期日,2025年,2月5日第二节放大器的工作原理一.放大的概念二.基本放大电路的工作原理第33页,共90页,星期日,2025年,2月5日一放大的概念放大是基本放大电路最重要的功能之一。1.放大电路的功能:是把微弱的电信号,增大到所需的数值。输出量在幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。2.放大的实质:是能量的转换(控制),输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。第34页,共90页,星期日,2025年,2月5日图03.01放大概念示意图放大电路的结构示意图见图:第35页,共90页,星期日,2025年,2月5日二基本放大电路的工作原理(一).共射极接法交流基本放大电路的组成(二).放大器的静止工作状态(三).放大器的交流工作状态(四).放大器的放大倍数第36页,共90页,星期日,2025年,2月5日1.电源的设置:2.结构安排:3.元件参数设置:基本组成如下:三极管T——起放大作用负载电阻RC、RL——将变化的集电极电流转换为电压输出。偏置电路UCC、R
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