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总复习
器件部分
分析方法
电路部分
半导体器件（二极管、三极管、场效应管）
集成运放
一、器件部分
二极管的应用
1、二极管
稳压管：
2
1
工作原理：利用稳压管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。
稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻
2、三极管
三极管放大的内部条件和外部条件
内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
对NPN管：
UCUBUE
对PNP管：
UCUBUE
2019
电流法判别是否工作在饱和区
01
2020
IBIBS则饱和
02
2021
IBIBS则放大
03
2022
临界饱和电流ICS和IBS：
04
23%
Option1
1.输入特性曲线
2.共射电路输出
特性曲线
iC=f(uCE)iB=常数
iB=f(uBE)uCE=常数
30%
Option2
三极管特性曲线（共发射极）
由PCM、ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
3、场效应管
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
输出特性曲线：iD=f（uDS）│uGS=常数
转移特性曲线：iD=f（uGS）│uDS=常数
可根据输出特性曲线作出转移特性曲线（在饱和区内）
特性曲线
各种场效应管的转移特性
各种场效应管的输出特性对比
运放的组成：
运算放大器
图解法
01
等效电路法
02
运放
03
波特图
04
二、分析方法
晶体管h参数等效电路和混合型等效电路
场效应管等效电路
等效电路法
三极管简化的H参数小信号模型。
+
+
+
+
i
i
be
b
b
-
β
ce
be
-
+
r
c
c
v
b
i
e
+
v
H参数是小信号参数，即微变参数或交流参数。
H参数与工作点有关，在放大区基本不变。
H参数只适合对交流信号的分析。
ib是受控源，且为电流控制电流源(CCCS)。
电流方向与ib的方向是关联的。
H参数的确定
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。
—
-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+
—
+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
工作在线性区时的特点
虚短
虚断
虚断
工作在非线性区时的特点
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、
共源、共漏
01
01
02
03
04
05
06
直流通路
求解静态工作点
关键:小信号等效电路法
求解
交流通路
02
03
04
05
06
基本放大电路
共射放大电路
+
ui
_
+
uo
_
C1
C2
Rb1
Rb2
Rc
Re
T
+
+
+Vcc
指标参数：
特点和典型功能：
大，适于小信号电压放大
共集放大电路
+
+
-
R
u
R
V
e
u
i
b
-
C
1
+
CC
o
T
R
L
2
C
+
-
R
S
S
u
指标参数：
特点和典型功能：
Ri大、Ro小；适于作输入级、输出级，缓冲级
共基放大电路
+
S
+
V
b1
1
b2
u
i
-
u
+
S
C2
C
R
-
R
CC
R
c
R
R
+
u
L
o
-
e
R
CB
指标参数：
特点和典型功能：
大，适于作宽频带放大电路
共源放大电路
—
+
+
C
2
R
u
T
g3
DD
1
R
g1
C
C
V
R
R
g
d
s
i
g2
d
R
u
o
R
L
+
-
指标参数：
特点和典型功能：
较大，Ri很大；适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3
V
s
T
R
1
DD
o
R
u
R
d
g1
g2
C
2
R
R
+
-
L
+
u
-
S
R
S
指标参数：
特点和典型功能：
Ri大、Ro小；适于作输入级、输出级
01
02
03
04
05
关键:小信号等效电路
求解静态工作点
求解
直流通路
交流通路
多级放大电路
关键:小信号等效电路
求解
Ri
Ro1
Ri2
Ro2
多级放大电路的电压增益
多级放大电路的输入电阻
多级放大电路的输出电阻
特点和典型功能：有两个输入端、四种接法、温漂小；作
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