2025年半导体芯片制造工职业技能考试题(含答案).docxVIP

2025年半导体芯片制造工职业技能考试题(含答案)

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.半导体芯片制造中，以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）工艺来生长二氧化硅薄膜？（）

A.氮气

B.氧气

C.硅烷（SiH?）和氧气

D.氢气

答案：C。硅烷（SiH?）和氧气在化学气相沉积（CVD）工艺中反应可生长二氧化硅薄膜，氮气一般作为保护气，氢气常用于还原等过程，单纯氧气不能直接用于生长二氧化硅薄膜。

2.在光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护硅片表面

B.作为刻蚀的阻挡层

C.提高硅片的导电性

D.增加硅片的硬度

答案：B。光刻胶在光刻工艺中通过曝光和显影等步骤形成特定图案，在后续刻蚀等工艺中作为阻挡层，保护不需要刻蚀的区域，它并不能提高硅片导电性和增加硬度，也不是单纯用于保护硅片表面。

3.以下哪种清洗方法可以有效去除硅片表面的有机物杂质？（）

A.氢氟酸（HF）清洗

B.硫酸过氧化氢（H?SO?H?O?）清洗

C.盐酸过氧化氢（HClH?O?）清洗

D.去离子水清洗

答案：B。硫酸过氧化氢（H?SO?H?O?）清洗液具有强氧化性，可以有效去除硅片表面的有机物杂质，氢氟酸主要用于去除氧化层，盐酸过氧化氢主要用于去除金属杂质，去离子水清洗主要是冲洗作用。

4.离子注入工艺的主要目的是（）

A.改变半导体的晶体结构

B.在半导体中引入特定的杂质原子

C.增加半导体的厚度

D.提高半导体的透明度

答案：B。离子注入工艺是将特定的杂质离子加速注入到半导体中，以改变半导体的电学性质，不是改变晶体结构、增加厚度和提高透明度。

5.化学机械抛光（CMP）工艺的主要作用是（）

A.去除硅片表面的划痕

B.使硅片表面平整化

C.提高硅片的化学稳定性

D.增加硅片的厚度

答案：B。化学机械抛光（CMP）工艺通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用，使硅片表面达到高度平整化，不是去除划痕（主要是全局平整）、提高化学稳定性和增加厚度。

6.衡量光刻分辨率的关键参数是（）

A.曝光剂量

B.焦深

C.数值孔径（NA）

D.光刻胶的灵敏度

答案：C。数值孔径（NA）是衡量光刻分辨率的关键参数，分辨率与波长和数值孔径有关，曝光剂量影响光刻胶的曝光程度，焦深是保证图像清晰的聚焦范围，光刻胶灵敏度影响曝光时间等。

7.在芯片制造的扩散工艺中，杂质的扩散系数与以下哪个因素关系最密切？（）

A.温度

B.杂质浓度

C.硅片的晶向

D.扩散时间

答案：A。扩散系数主要与温度有关，根据扩散理论，温度升高，扩散系数增大，杂质浓度影响扩散的梯度，硅片晶向对扩散有一定影响但不是最密切，扩散时间是扩散过程的一个参数而非影响扩散系数的主要因素。

8.以下哪种设备用于对芯片进行封装前的测试？（）

A.光刻机

B.探针台

C.化学机械抛光机

D.离子注入机

答案：B。探针台用于对芯片进行封装前的电性能测试，通过探针与芯片上的电极接触来检测芯片是否合格，光刻机用于光刻工艺，化学机械抛光机用于表面平整化，离子注入机用于离子注入工艺。

9.半导体芯片制造中，常用的衬底材料是（）

A.玻璃

B.蓝宝石

C.单晶硅

D.陶瓷

答案：C。单晶硅具有良好的电学和机械性能，是半导体芯片制造中最常用的衬底材料，玻璃、蓝宝石和陶瓷一般不作为芯片制造的主要衬底材料。

10.以下哪种工艺可以在硅片表面形成浅沟槽隔离（STI）结构？（）

A.光刻刻蚀填充

B.离子注入退火

C.化学气相沉积光刻

D.物理气相沉积刻蚀

答案：A。浅沟槽隔离（STI）结构的形成一般是先通过光刻定义沟槽图案，然后刻蚀出沟槽，最后进行填充，离子注入退火主要用于改变半导体电学性质，化学气相沉积光刻不能直接形成STI结构，物理气相沉积刻蚀也不是形成STI结构的主要工艺。

11.芯片制造中，光刻工艺的曝光光源波长越短，其分辨率（）

A.越低

B.越高

C.不变

D.不确定

答案：B。根据光刻分辨率公式，在其他条件一定时，曝光光源波长越短，分辨率越高。

12.在清洗工艺中，超纯水的电阻率要求一般为（）

A.0.1MΩ·cm以下

B.110MΩ·cm

C.1018MΩ·cm

D.18MΩ·cm以上

答案：D。在半导体芯片制造的清洗工艺中，超纯水的电阻率要求一般为18MΩ·cm以上，以保证清洗效果和避免杂质引入。

13.等离子体刻蚀与湿法刻蚀相比，其优点是（）

A.刻蚀速率快

B.刻蚀选择性高

C.可以实现各向异性刻蚀

D.设备成本低

答案：C。等离子体刻蚀可以