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摘要
摘要
分离栅功率MOS器件（SGTMOS），作为在中低压高频电路中应用最广、表
现最佳的功率MOSFET，是降低系统整体功率损耗、升能源利用效率、高用
电设备可靠性、进而实现电力电子设备智能化和小型化不可或缺的核心器件。自其
被发明以来，研究者们从元胞结构、制造工艺以及终端设计的角度不断优化器件性
能，使其不断向理论极限逼近。设计具有更低导通和开关损耗的SGTMOS，最大
发挥SGTMOS在电源管理、电源驱动以及电压转换等模块的优势，是国内外研究
者们的不懈追求。本文以此为切入点，通过制造工艺流程和器件结构的优化，继续
挖掘SGTMOS的潜力。本文主要工作内容及创新点如下：
首先，基于现有SGTMOS基本理论及标准制造工艺流程，设计一款标准30
VSGTMOS并将其作为后续优化的基准结构。理论及仿真分析表明，基准结构的
2
击穿电压（BV）为38.74V，特征导通电阻（R）为10.32mΩ·mm，特征栅
DSON,SP
电荷（QG,SP）为10.50nC·mm-2，器件优值（FOM）为108.36mΩ·nC。
其次，为降低器件的开关损耗，通过在标准制造工艺流程中引入栅极过刻蚀及
自对准倾斜源极注入工艺步骤来有效地减小栅极与硅层的交叠面积，得到一种基
于源极自对准注入工艺的SGTMOS新结构。在不增大RON,SP的前下，新结构可
以有效降低特征栅源电容（CGS）与QG,SP，从而降低器件的开关损耗。相比于基准
结构，理论分析及仿真结果显示，新结构的RON,SP和QG,SP获得了18.8%的降低，
FOM获得了36.6%的降低；实验测试结果显示，采用最优设计的新结构具有58.31
nC的栅电荷（QG）值和148.49mΩ·nC的FOM值，QG降低约15.8%，FOM降低
约10%。
最后，为降低器件的导通损耗，出两种具有分离栅介质层的SGTMOS新结
构。引入复合分离栅介质层的优势主要在于可以采用更小的元胞宽度、沟槽宽度以
及Mesa区宽度设计。因此，器件具有更低的RON,SP和导通损耗。相比于基准结构，
理论分析及仿真结果显示，在FOM基本不变的情况下，新结构的RON,SP获得了9.2%
的降低；实验结果显示，新结构的Mesa区宽度可以降至0.4μm，沟槽宽度可以降
至0.3μm。同时，BV的测试结果与理论分析及仿真结果具有较强的一致性。
DS
关键词：分离栅，特征导通电阻，寄生电容，栅电荷，复合介质层
I
ABSTRACT
ABSTRACT
SplitgatetrenchpowerMOSFET(SGTMOS),asthemostwidelyusedandwell-
performedpowerMOSFETinmediumandlowvoltagehighfrequencycircuits,isthe
indispensablecoredevicetoreducetheoverallpowerlossofthesystem,enhancethe
efficiencyofenergyconsumption,improvethereliabilityofpowerfacilities,andthen
realizetheintellectualizationandminiaturizationofpowerelectronicsequipment.Ever
sincetheinventionofS
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