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内蒙古2025自考[大功率半导体科学]半导体物理易错题专练

一、单选题（每题2分，共20题）

题1：以下哪种晶体缺陷最容易引起半导体材料的电导率显著下降？

A.位错

B.点缺陷（空位）

C.线缺陷（螺位错）

D.面缺陷（晶界）

题2：在n型半导体中，掺入三价杂质原子后，其导电机制将发生什么变化？

A.电子浓度增加，空穴浓度减少

B.电子浓度减少，空穴浓度增加

C.电子和空穴浓度均增加

D.电子和空穴浓度均减少

题3：硅（Si）的禁带宽度约为1.12eV，下列哪种材料的禁带宽度最小？

A.锗（Ge）

B.锑化铟（InSb）

C.碲（Te）

D.硅化镓（GaAs）

题4：半导体材料的载流子迁移率主要受哪些因素影响？（多选）

A.晶格缺陷

B.温度

C.杂质浓度

D.晶体取向

题5：当温度升高时，半导体材料的本征载流子浓度将如何变化？

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增后减

题6：以下哪种效应会导致半导体器件的击穿电压降低？

A.雪崩击穿

B.齐纳击穿

C.热击穿

D.电化学击穿

题7：在半导体中，费米能级的位置与温度和掺杂浓度有何关系？

A.温度升高，费米能级向导带移动

B.掺杂浓度增加，费米能级向价带移动

C.温度降低，费米能级向价带移动

D.掺杂浓度减少，费米能级向导带移动

题8：下列哪种材料最适合用于制造高压功率器件？

A.GaN（氮化镓）

B.SiC（碳化硅）

C.Si（硅）

D.Ge（锗）

题9：在半导体中，导带底的能级与价带顶的能级之间的能量差称为？

A.禁带宽度

B.晶格振动能

C.载流子迁移率

D.能隙

题10：以下哪种现象会导致半导体材料的霍尔系数出现负值？

A.n型半导体

B.p型半导体

C.本征半导体

D.高掺杂半导体

二、多选题（每题3分，共10题）

题11：半导体的能带结构包括哪些部分？

A.导带

B.价带

C.禁带

D.谐振态

题12：影响半导体器件开关速度的因素有哪些？

A.载流子寿命

B.载流子迁移率

C.器件尺寸

D.温度

题13：以下哪些属于半导体材料的晶体缺陷？

A.位错

B.空位

C.间隙原子

D.晶界

题14：掺杂对半导体材料的电导率有何影响？

A.n型掺杂增加电子浓度

B.p型掺杂增加空穴浓度

C.掺杂浓度越高，电导率越低

D.掺杂浓度越高，电导率越高

题15：半导体的本征载流子浓度与哪些因素有关？

A.晶体结构

B.禁带宽度

C.温度

D.掺杂浓度

题16：以下哪些属于半导体器件的击穿机制？

A.雪崩击穿

B.齐纳击穿

C.热击穿

D.金属蒸气击穿

题17：半导体的能带理论主要解释了哪些现象？

A.半导体为何导电

B.掺杂为何能改变电导率

C.半导体为何有禁带

D.半导体为何会发光

题18：影响半导体材料迁移率的因素有哪些？

A.晶格振动

B.晶体缺陷

C.温度

D.掺杂浓度

题19：半导体的能带结构为何具有周期性？

A.晶体周期性排列

B.原子间相互作用

C.能量量子化

D.自由电子运动

题20：以下哪些属于半导体物理中的基本概念？

A.费米能级

B.能带结构

C.载流子浓度

D.霍尔效应

三、判断题（每题2分，共10题）

题21：本征半导体的载流子浓度仅受温度影响，与掺杂无关。

（正确/错误）

题22：掺杂浓度越高，半导体的禁带宽度越大。

（正确/错误）

题23：半导体的霍尔系数仅与载流子浓度有关，与迁移率无关。

（正确/错误）

题24：n型半导体的费米能级位于导带底以下。

（正确/错误）

题25：半导体的能带结构是由原子能级线性组合而成的。

（正确/错误）

题26：半导体的本征载流子浓度与温度呈指数关系。

（正确/错误）

题27：半导体的击穿电压仅与材料禁带宽度有关，与器件结构无关。

（正确/错误）

题28：半导体的迁移率随温度升高而增加。

（正确/错误）

题29：半导体的能带理论可以完全解释金属的导电特性。

（正确/错误）

题30：半导体的掺杂可以提高其电导率，但会降低其击穿电压。

（正确/错误）

四、简答题（每题5分，共5题）

题31：简述半导体材料的能带结构及其物理意义。

题32：解释什么是本征半导体和杂质半导体，并说明其区别。

题33：简述半导体材料的载流子迁移率及其影响因素。

题34：解释什么是雪崩击穿和齐纳击穿，并说明其适用条件。

题35：简述半导体的掺杂对其电导率的影响机制。

五、计算题（每题10分，共5题）

题36：已知硅（Si）的禁带宽度为1.12eV，计算在300K时，硅的本征载流子浓度（假设有效质量为0.19m?，有效态密度为2.8×102?/m3）