石墨烯场效应管双极性掺杂调控与性能研究.pdfVIP

摘要

近年来，二维材料凭借其独特的结构和物理化学性质，在电子器件中展现出广

阔的应用前景。通过研究二维材料的物化特性以及相关器件的设计与制备，成为二

维材料突破物理极限和实现下一代电子器件的关键问题。其中，以石墨烯为典型代

表的二维材料近年来备受关注，掀起了其本征物化性质研究、掺杂调控性能和电子

器件应用研究的新浪潮。石墨烯作为下一代电子器件的潜在候选材料，需要解决其

零带隙特性问题并实现可控掺杂，这是构建高开关比逻辑器件的关键。目前，虽然

石墨烯打开带隙研究已取得初步成果，但仍迫切需要开发有效的掺杂策略，以实现

对石墨烯的跨极性可控掺杂。本研究采用了表面电荷转移掺杂方法，成功突破了石

墨烯跨极性可控掺杂的技术难题。本文对石墨烯掺杂进行了一系列的课题研究，包

括：利用表面电荷转移法对石墨烯的掺杂调控机制及其能带理论进行了深入探讨；

研究了石墨烯场效应管（GFETs）的电学输运特性；以及激光辐照辅助石墨烯掺杂

方法的拓展研究。本研究详细探讨了石墨烯掺杂的物理结构、能带变化以及GFETs

的电学输运性能。主要内容及结论如下：

（1）基于表面电荷转移掺杂策略，依托覆盖于石墨烯表面的SnO薄膜为掺杂

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剂，采用热退火辅助方法对石墨烯进行跨极性可控掺杂。利用退火温度和气氛对

SnO薄膜的结构进行调控，探究了其物相转变的热力学机理。在SnO薄膜对石墨

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烯的有效掺杂基础上，深入研究了掺杂剂的形貌、成分和结构。在实验上发现SnOx

薄膜中Sn平均氧化价态即氧的化学计量比增加会导致石墨烯的空穴掺杂，并实现

了石墨烯横跨n型高掺杂（电子浓度：-2.4×1013cm-2）到p型高掺杂（空穴浓度：

1.9×1013cm-2）的调控。目前尚未有关于使用同种元素的掺杂剂来实现石墨烯双极

性掺杂的报道，这种方法可以有效避免使用不同掺杂剂带来的交叉污染问题，实现

不同极性的掺杂。本工作中关于石墨烯的掺杂行为的研究为其后续在逻辑器件甚

至集成电路领域的发展奠定了基础。

（2）在依托SnO薄膜对石墨烯的掺杂调控基础上，进一步结合掺杂石墨烯的

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实际电子原型器件，构建了石墨烯场效应管，深入研究了石墨烯掺杂对场效应管电

学性能的影响及石墨烯能带的演变机理。研究结果证实了石墨烯掺杂对石墨烯场

效应管电学输运特性有显著调控，即SnOx薄膜Sn平均氧化价态较低时，对石墨

烯是n型高掺杂，此时石墨烯主要为电子导电；随着SnOx薄膜Sn平均氧化价态

逐渐增加并接近SnO化学计量比时，其对石墨烯的掺杂是先n型掺杂减弱后p型

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掺杂增加并到达p型高掺杂水平，此时石墨烯主要为空穴导电。在此过程中，能带

理论分析发现富Sn态的SnOx薄膜以金属Sn和n型SnO为主，其功函数相比石

墨烯较小，此时对石墨烯为n型高掺杂；随着SnOx薄膜中Sn平均氧化价态的增

加（中间态），主要以p型SnO为主，此时其功函数与石墨烯接近，表现为对石墨

烯n型掺杂的降低；当SnOx薄膜中Sn平均氧化价态的进一步增加至富O态，主

要以n型SnO为主，其功函数相比石墨烯较大，表现为对石墨烯的p型掺杂。

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（3）基于激光辐照技术实现对石墨烯的任意区域定制化图案掺杂。通过激光辐

照SnO薄膜的特定区域，借以激光的局部热效应改变其组分、结构为基础的化学

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计量比，从而实现对特定区域的石墨烯掺杂。通过对激光辐照的尺寸特征的系统研

究，可以实现最小特征尺寸为1.3μm的掺杂，同时可以实现以线条、矩形和圆形

为基本单元的任意掺杂图案。控制激光辐照过程中的激光强度和辐照时间参数，可

以实现对石墨烯跨极性的n型或p型掺杂。同时结合拉曼光谱发现激光辐照过程

不会增加石墨烯的缺陷，这为掺杂石墨烯在集成电子和光电子器件中的应用提供

了一种新颖的可选择途径。

关键词：石墨烯，场效应管，双极性掺杂，热退火，激光辐照

ABSTRACT