我科学家研发出mW级超低功耗类脑芯片.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.6千字
  • 约 1页
  • 2025-10-21 发布于海南
  • 举报

我科学家研发出mW级超低功耗类脑芯片.pdf

第3期余阳等:某航天产品上移位寄存器的失效分析

形貌;芯片表面未见明显过热、过电烧毁或腐蚀污的机械裂纹逐步增大,导致层间介质开裂,层间漏

染等异常形貌。电,最终使得芯片功能失效。

综合上述分析,F1#样品的芯片局部金属化

有机械划伤,但未完全开路,因此不会影响芯片功参考文献:

能;但是该位置层间介质层也存在裂纹,介质层损[1]盖炳良,滕克难,王浩伟.整机级装备贮存延寿试验技

术[】.火力与指挥控制,2018,43(1):169-174.

伤会导致层间漏电,从而影响芯片内部电路的工作

[2]解江,郭琦,高军.贮存寿命评价工具箱设计研究[]。

状态,导致功能失效。

环境技术,2014,32(2):20-25.

3结束语[3]乌秩聪.某导航机载设备自检电路故障技术分析[.电

子测试,2021(9):106-107;100.

为了确认某产品中移位寄存器失效的具体原[4]张旭武,张浩,陈铁柱.直流风机驱动电路板的失效分

因,本文利用光学显微镜、电特性测试、X-ray射析[].电子产品可靠性与环境试验,2021,39(5):

线检查和扫描电镜分析方法对移位寄存器进行检测43-50.

分析,最终得到结论,认为机械应力是该芯片失效[5]吴文单,杨秀涛.某型号电缆组件失效分析及改进设

的主要原因。计[).机电元件,2017,37(3):28-31;36.

随着芯片封装工艺进步,为了缩小芯片尺寸,[6]罗道军,倪毅强,何亮,等.电子元器件失效分析的过

去、现在和未来[J],电子产品可靠性与环境试验,

出现了多层芯片堆叠封装技术,在封装过程中,由

2021,39(S2):8-15.

于工艺原因会造成芯片内部产生机械应力,这容易

[7]】恩云飞,来萍,李少平.电子元器件失效分析技术[M]:

导致多层芯片的层间介质产生应力裂纹,而应力裂

北京:电子工业出版社,2015.

纹会对芯片电路长期可靠性造成不利影响。某产品[8]张光强.失效电子元器件分析方法[]】,数字通信世界,

中移位寄存器在经受长期贮存后,由工艺原因产生2021(1):120-121;94.

信息与动态

我科学家研发出mW级超低功耗类脑芯片

田/田田I

据报道,来自中国科学院自动化研究所等单位典型视觉场景任务功耗可低至0.7mW,进一步挖

的科研人员联合研发出一款新型类脑神经形态系统掘了神经形态计算在性能和能效上的潜力。

级芯片Speck。该芯片展示了类脑神经形态计算在“Speck是一款异步感算一体类脑神经形态系

融合高抽象层次大脑机制时的天然优势。相关研究统级芯片,采用全异步设计,在一块芯片上集成了

成果在线发表于《自然·通讯》杂志上。动态视觉传感器和类脑神经形态芯片,具有极低的

人脑运行的神经网络虽然非常复杂且庞大,但静息功耗。”中国科学院

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档