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4.静电放电干扰及其防护ESD防护设计及措施减少ESD影响的设计原则:阻止ESD产生阻止EMI耦合到电路或设备通过设计工艺增加设备固有的抗骚扰性减少ESD影响的附件保护措施设备中不用的输入端不允许处于不连接或者悬浮状态应用滤波器阻止ESD耦合至设备PCB设计:走线是ESD产生EMI的发射天线,要求线短,包围面积小外壳设计,为减少EMI缝隙边沿每隔一段距离应电连接正确设计电缆保护系统软件EMI抑制措施ESD常见问题与改进ESDVESDV单点接地4.静电放电干扰及其防护4.静电放电干扰及其防护问题:机箱搭接阻抗过大例如:0.1欧姆搭接阻抗,静电放电电流30A,电位差3V解决办法:减少搭接阻抗、单点接地ESD常见问题与改进ESDESD屏蔽层屏蔽场作用4.静电放电干扰及其防护4.静电放电干扰及其防护问题:机箱不连续(孔洞、缝隙)ESD电流通过机箱同时通过线路板泄到地,损耗线路板解决办法:完整机箱、增加屏蔽层ESD1I1ESD2I2ESD1I1ESD2铁氧体磁珠ESD常见问题与改进4.静电放电干扰及其防护解决方法:在旁路电容与线路板之间串联一只铁氧体磁珠,增加流向线路板的路径的阻抗。问题:对地电容能够将电缆上的静电放电电流旁路到机箱,避免流到电路上,但是这个电容也会将机壳上的电流引到信号线上,从而进入电路。ESD常见问题与改进4.静电放电干扰及其防护发生10000V静电放电时:通过电缆的屏蔽层连接两机箱,使其电位差尽量小搭接方式很重要!ESD常见问题与改进4.静电放电干扰及其防护使用共模扼流圈,使静电放电造成的共模电压降在扼流圈上,而不是另一端的电路上,由于静电放电电流的上升时间很短,因此扼流圈的寄生电容必须最小化。低通滤波器:截止频率小于1/??分压法:电阻电感电容分流法:压敏电阻瞬态抑制二极管气体放电管电容+电阻5.瞬态干扰抑制常用器件瞬态干扰抑制机理浪涌抑制器件压敏电阻瞬态抑制二极管气体放电管低通滤波器上策下策并用浪涌注入端被保护电路端抑制高频差模干扰5.瞬态干扰抑制常用器件主要内容1.概述2.电快速瞬变脉冲群(EFT)3.雷击浪涌及其防护4.静电放电干扰及其防护5.抑制瞬态骚扰的常用器件1.概述瞬态干扰:指时间很短,但幅度较大的电磁干扰。常见的瞬态干扰(设备需要通过试验验证其抗扰度)有三种:电快速脉冲(EFT)、浪涌(SURGE)、静电放电(ESD)。电快速脉冲:由电路中的感性负载断开时产生。其特点是不是单个脉冲,而是一连串的脉冲,因此,它对电路的影响较大。因为一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累计效应,使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限。从这个机理上看,脉冲串的周期越短,则对电路的影响越大。因为,当脉冲串中的每个脉冲相距很近时,电路的输入电容没有足够的时间放电,就又开始新的充电,容易达到较高的电平。浪涌:浪涌主要是由雷电在电缆上感应产生的,功率很大的开关也能产生。浪涌的特点是能量很大,室内的浪涌电压幅度可以达到6kV,室外往往会超过10kV。浪涌虽然不象EFT那么普遍,但是一旦发生危害是十分严重的,往往导致电路的损坏。静电放电:雷电现象实际就是一种静电放电现象,它对设备电缆的影响已经体现在浪涌试验中了。实际环境中的另一类主要现象是人体接触设备时的静电放电。但在一些标准中增加了比人体放电更严酷的装置放电。这些静电放电对设备造成的影响从本质上讲以辐射干扰为主,这在后面详细介绍。1.概述三种瞬态干扰的比较:1脉冲上升时间:ESD—极快,1ns,EFT—很快,约5ns,浪涌—慢,?s数量级。2能量:ESD—低,EFT(单个脉冲)—中等,浪涌—高3电压(负载阻抗高):ESD—15kV以上,EFT—10kV以下,浪涌—10kV以下4电流(负载阻抗低):ESD—人体放电为几十A,装置放电可达数百A,EFT—几十A,浪涌—几千A.说明:NEMP(核电磁脉冲)也会在电缆中感应出浪涌,但它的上升时间很短,在ns级。瞬态干扰对设备的威胁电快速脉冲电快速脉冲浪涌静电放电静电放电电源端口信号端口浪涌静电放电
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