半导体激光器基础知识及工艺介绍.pptVIP

DC-PBH平面掩埋异质结激光器四、半导体激光器制作工艺N-InP波导层有缘层接触层P-InP1、外延材料生长2、芯片结构制作工艺流程外延片：清洗掩膜层SiO2生长SiO2第一次光刻涂胶SiO2胶对准曝光光刻版显影刻蚀SiO2去胶脊型刻蚀去除掩膜SiO2生长钝化层SiO2套刻：涂胶对准曝光显影去胶光刻电极：涂胶对准曝光溅射剥离减薄合金减薄：减小芯片厚度，减小电阻，便于解理，后续贴片等；合金：高温使金属和半导体之间相互扩散融合，降低接触电阻。bar解理就是把四分之一片（半片或者整片）按照一定的周期（250um）沿主参的方向解理成条，得到发光腔面。注意电极的位置要在条的中央。原理和解外延片类似：就是先用刀沿着选定的方向划开一小段，用擀轮沿划开的方向把条碾开，这样条是沿晶向裂开；注意的问题：1、划片机上接触管芯的部位要保证清洁，防止管芯沾污；2、擀轮与管芯的接触不能太重也不能太轻，太重会造成腔面受损，太轻就没用；3、划片刀的角度和力度的选择，保证行刀的顺利以及防止管芯受损；4、如果光刻时电极的方向偏移晶向，这时需要把四分之一片按光刻方向（011）解成八分之一或更小（根据偏移程度来确定）后再解条，防止把电极解裂。在接触管芯的过程中要带防静电护腕：人体静电可以达到上千伏，会把芯片击穿。把解理后的条，经过崩片处理使条与条分开，选择统一的解理面来夹条（可以通过电极的两边不对称来确定），夹条时要注意：解理面要保证水平，不能倾斜；不要把解理面遮挡住；解理条（bar）Bar条解理解理后的Bar条管芯腔面端面镀膜端面镀膜就是用真空蒸发镀膜的方法在bar解理得到的两个端面上，一端镀高反膜，一端镀保护膜或增透膜，增大输出光功率。半导体激光器因其自身解理面形成激光器的谐振腔，解理面的反射率仅30%左右，散射率将近70%，使器件产生的激光有2/3因散射而从后腔面浪费掉。另外半导体激光器的工作波长，一般由掺Al量来调节，在光能量密度很大时，腔面有源区的铝（Al）极易被氧化，导致激光器的功率下降。加上工作环境潮湿，空气中的酸和碱使腔面容易受到侵蚀，影响激光输出，致使微分量子效率下降，阈值电流密度增大，降低激光器的使用寿命。为此，人们采用激光器后腔面蒸镀高反射介质膜或金属膜的方法，使从后腔面透射的光反射，从前腔面输出，提高了光输出功率，阻止Al氧化，降低了阈值电流，改善器件性能。前腔面镀保护膜起保护腔面作用。BAR条测试测试bar条的P-I-V特性，标记不达标芯片Chip解理将测试完成的bar条解理为单一的芯片芯片存储要求洁净的环境，合适的温湿度，防止芯片沾污、腔面老化等。光谱测试FP腔光谱为多纵模DFB光谱为单纵模远场发散角测试DFB激光器制作N-InP波导层有缘层光栅层接触层P-InGaAsP一次外延结构生长光栅制作（全息曝光+湿法腐蚀）光栅层光栅掩埋接触层生长有缘层光栅高反膜增透膜光栅满足条件：2nL=mλL为光栅周期，λ为激射波长谢谢！！*2.2、导体绝缘体半导体导电理论原子核核外电子原子核模型单一原子能级分布图（氢原子）原子排列在一起，电子受到其他原子核或电子影响会产生电子共有化运动。单一的原子量子化能级经过简并，形成能带，能带中电子数较少能带叫导带，在外场作用下导带中的电子可以定向移动；能带中电子数饱和的能带叫价带，价带中电子在外电场作用下不能够定向移动。导带和价带之间是禁带。电子共有化运动能级简并成为能带按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。

在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。

对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。

绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子不是没有，并