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SRAM存储器低延迟ECC加固设计.pdf

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    SRAM存储器低延迟ECC加固设计

    摘要

    当航空航天以及地面电子设备处于空间辐射环境中时，辐射粒子会对电子产品中的

    存储器芯片造成干扰。由于受到单粒子效应（SingleEventEffect，SEE）和累积粒子的

    影响，存储单元极易产生单粒子翻转（SingleEventUpset，SEU），形成软错误。然而，

    随着集成电路工艺制程的不断缩小，导致多位翻转（MultipleBitUpset，MBU）发生概

    率不断提升。因此，对存储器进行抗多位翻转加固设计具有

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