InAs基材料的液相外延及非制冷中波红外探测芯片研制.pdfVIP

InAs基材料的液相外延及非制冷中波红外探测

芯片研制

摘要

针对目前中波红外探测领域的对提高室温探测性能的迫切需求，本工作凭借InAs

基材料在中波红外探测上的优势，利用相对低成本的液相外延技术，在InAs衬底上生

长不同禁带宽度的多层InAs基材料外延薄膜，优化相关工艺，开发具有势垒型能带结

构的非制冷中波红外探测器件。

主要工作分为四个方面：

（1）液相外延石墨舟改进优化：对液相外延石墨舟进行了升级改进，优化整体结

构，使其更加可靠；简化组件的外表面，使其更容易抛光；优化底座设计，使得空间利

用率提高；更改了盖板设计，优化了气密性；对衬底滑板进行加厚加宽，使衬底滑板的

刚性大大提高，同时可满足更大衬底的生长；在熔源板上增加V形导流结构，可减少外

延片上熔滴的残留，缩短石墨舟的整体长度，使得加热时熔源槽温度更加恒定。

（2）InAs基材料的液相外延生长：针对势垒型器件结构，进行了InAs基材料的多

层生长，在InAs衬底上依次外延生长了InAsSbP势垒层、InAs吸收层以及InAsSbP接

触层。对多层材料进行了XRD测试，其XRD摇摆曲线半高宽窄，表明拥有较好的结晶

质量，且晶格失配小；采用SEM表征多层材料截面，可见外延层间界面平整，表明外

延薄膜厚度均匀，材料整体质量较高。

（3）湿法腐蚀工艺的改进优化：对InAs基多层材料进行湿法腐蚀对比研究，通过

对多层材料表面形貌、粗糙度、台面侧壁和截面形貌等的测试分析，优化了湿法腐蚀的

工艺条件。在0℃的恒温下进行腐蚀，可降低腐蚀速度，腐蚀质量得到提高，并确定恒

温下的湿法腐蚀具体速度；分析腐蚀机理，确定了柠檬酸在腐蚀过程中的作用；摸索湿

法腐蚀工艺的新配方；并就是否使用二道腐蚀液进行对比实验，对比I-V曲线以及光电

探测能力，最终得出最合适的腐蚀液配方。

（4）器件制备及性能表征：制备了以p型掺杂的InAsSbP为势垒层，非掺InAs为

吸收层，n型掺杂的InAsSbP为接触层的正入射台面型pBin非制冷中波红外探测器件。

器件的势垒层结构在常温下仍能对暗电流进行有效抑制，且不阻挡光电流。300K温度

V

91/2-1

下器件的截止波长为3.5μm，零偏下的峰值探测率达5.8×10cm·HzW。

【关键词】：液相外延；InAs；红外探测；非制冷器件；势垒型器件；石墨舟；湿

法腐蚀；器件制备。

VI

ResearchofLiquidPhaseEpitaxyforInAs

BasedMaterialsandUncooledMidWave

InfraredDetectionChip

Abstract

Inresponsetotheurgentneedtoimproveroomtemperaturedetectionperformanceinthe

currentfieldofmediumwaveinfrareddetection,owingtotheadvantagesofInAsbased

materialsinmediumwaveinfrareddetection,inthisthesis,therelativelylow-cost

liquid-phaseepitaxytechnologywasusedtogrowmulti-layerInAsbasedepitaxialfilmswith

differentbandgapwidthsonInAssubstrates,andbyoptimizingrelatedprocesses,non-cooled

mediumwaveinfrareddetectiondeviceswithbarrierbandstructureswasdeveloped.