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摘要
摘要
Si4200mAhg1
硅()基材料不仅比容量高(理论值:),而且环境友好、储量
丰富,是下一代高能量密度锂电池负极的最佳候选材料。然而,该材料在充放电过
程中的体积变化较大,这会造成材料的破碎、粉化,进而电化学活性失效。因此,
Si/nSi/Gr
工业中一般不单独使用负极,而是采用纳米硅石墨()复合材料作为石墨
负极替代产品。然而,在nSi与石墨复合过程中,由于nSi表面能较高易发生团聚,
很难实现纳米级Si在微米级石墨表面的均匀分散。本文针对nSi与石墨复合过程的
分散性难题,探究了球磨法制备nSi/Gr过程中工艺参数与复合材料分散性的影响规
律,通过nSi表面的官能团化大幅度抑制了nSi颗粒之间的团聚,进一步通过构建
硅碳互联网络,显著改善了硅/石墨复合材料的分散性,提高了复合材料综合电化学
性能。具体的研究内容如下:
研究了nSi/Gr在球磨环境下的最佳复合工艺。发现球磨转速以及时间对nSi/Gr
1
复合材料分散性有明显影响,当球磨转速不高于200rmin、球磨时间不超过2h,
球磨工艺不会对复合材料的结构造成破坏。研究了溶剂、活性剂、混料方式、干燥
方式、碳材料以及碳化温度对nSi/Gr复合材料分散性以及电化学性能的影响。发现
选择无水乙醇溶剂、球磨干混、搅拌至干燥、沥青包覆nSi/Gr复合材料以及碳化温
度在900℃下,所得复合材料的分散性和电化学性能有明显改善,其中nSi/Gr复合
1
材料首次库伦效率为91.6%,0.1C下比容量为629.7mAhg,在0.2C下循环100
圈容量保有率为52.7%。
nSinSi
再者,通过颗粒表面的氨基、羟基等官能团嫁接,有效抑制了颗粒的
团聚,提高了nSi颗粒在石墨表面分散的均匀性。针对由于官能团的嫁接,使得的
材料的反应动力学变慢和电化学性能下降的问题。进一步对复合材料进行碱液处理,
nSi//rSi/Gr/PC
来蚀刻掉表面官能团,制备出高分散性改性硅石墨沥青()复合材料。
1
优化后的rSi/Gr/PC复合材料在0.2C下可提供598.4mAhg的高放电容量,1C下
循环500次后仍能保持90.7%的容量保持率。此外,通过对样品循环前后的形貌分
Si
析,证明分散性的改善对抑制颗粒的体积变化和颗粒破碎起到重要作用。
进一步采用自适应方式,将氨化处理的nSi束缚在导电碳网内,接着利用球磨
工艺将硅碳互联网络与石墨相结合,使构建的硅碳互联网络完美填补在石墨之中,
//mSi/g-CN/Gr
最终制备出兼具高分散性和导电性的纳米硅三聚氰胺石墨(5034)复合
材料。该材料可以防止Si颗粒的堆积,有利于加速离子迁移,提高电导率,以及结
−1
构稳定。在0.2C下表现出621mAh·g的可逆容量,1C下循环300次后容量保持
93.3%mSi/g-CN/Gr//LFP
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