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2025年单片机习题集题库及答案

一、基础概念题

1.判断题：51系列单片机的程序计数器（PC）是16位寄存器，可寻址64KB的程序存储器空间。（）

答案：√。51单片机PC为16位，最大寻址范围2^16=65536字节（64KB），符合其架构设计。

2.选择题：以下关于STM32F103单片机的描述，错误的是（）

A.采用ARMCortex-M3内核

B.片上集成Flash存储器和SRAM

C.所有I/O口均支持5V容限

D.支持多种通信接口（如USART、I2C、SPI）

答案：C。STM32F103部分I/O口（如PA0-PA15、PB0-PB15）支持5V容限，PC、PD等端口仅支持3.3V，因此“所有”表述错误。

3.填空题：单片机的三总线结构指（）、（）和控制总线。

答案：地址总线；数据总线。

4.简答题：简述冯·诺依曼结构与哈佛结构的核心区别。

答案：冯·诺依曼结构采用程序和数据共享同一存储空间、同一总线的架构，取指令和取数据需分时进行；哈佛结构则将程序存储器与数据存储器分开，拥有独立的地址总线和数据总线，可同时取指令和数据，提高了并行处理能力。51单片机采用哈佛结构，ARMCortex-M系列部分型号（如M0）也采用哈佛结构。

5.分析题：某单片机系统中，晶振频率为12MHz，机器周期为1μs（假设为12分频）。若需实现1ms的定时，采用定时器模式1（16位定时器），计算需要写入的初值（请给出计算过程）。

答案：机器周期=12/12MHz=1μs。定时时间=（2^16-初值）×机器周期。设初值为X，则1ms=（65536-X）×1μs→65536-X=1000→X=65536-1000=64536（十六进制为0xFC18）。因此初值应为TH=0xFC，TL=0x18。

二、寄存器与I/O口配置题

6.填空题：51单片机中，P0口作为通用I/O口使用时，需外接（）；其内部结构无（），因此输出高电平时需外部上拉。

答案：上拉电阻；上拉晶体管。

7.选择题：STM32F103的GPIO端口配置寄存器（CRL、CRH）中，每个I/O口的配置占（）位。

A.2

B.4

C.8

D.16

答案：B。CRL控制P0-P7，CRH控制P8-P15，每个引脚占4位（2位模式+2位速度/输出类型）。

8.简答题：51单片机中，若要将P1.0设为输出高电平，需如何操作？若P1口已被其他引脚占用，是否影响P1.0的配置？

答案：直接向P1口写入数据，如P1=0x01（二进，则P1.0输出高电平，其余引脚输出低电平。51单片机的I/O口为准双向口，每个引脚的状态由端口锁存器控制，因此修改P1口整体值会影响所有引脚，但可通过位操作单独设置（如P1_0=1），不影响其他引脚状态（需注意：直接赋值会覆盖其他位，位操作更安全）。

9.编程题（51单片机）：使用P2口控制8位LED（LED低电平点亮），要求初始状态全灭，3秒后全亮，循环执行。晶振11.0592MHz，要求用软件延时实现（需给出延时函数设计思路及主程序代码）。

答案：

延时函数设计：机器周期=12/11.0592MHz≈1.085μs。假设设计1ms延时，需循环约922次（1ms/1.085μs≈922）。嵌套两层循环可扩展延时时间（如外层循环3000次，内层循环922次，总延时约3000×1ms=3s）。

主程序代码：

```c

includereg52.h

defineucharunsignedchar

defineuintunsignedint

sbitLED=P2;

voiddelay_ms(uintms){

uinti,j;

for(i=ms;i0;i--)

for(j=922;j0;j--);

}

voidmain(){

while(1){

P2=0xFF;//全灭（高电平）

delay_ms(3000);

P2=0x00;//全亮（低电平）

delay_ms(3000);

}

}

```

三、中断系统题

10.判断题：51单片机中，外部中断0（INT0）的触发方式可通过TCON寄存器的IT0位设置（0为低电平触发，1为下降沿触发）。（）

答案：√。TCON的IT0位控制INT0的触发方式，IT1控制INT1的触