第五章存储器.pptVIP

5.3.2可擦可编程只读存储器(EPROM)利用编程器写入后，信息可长久保持。当其内容需要变更时，可由紫外线灯照射将其擦除，复原为全“1”，再根据需要利用编程器编程。1.EPROM的工作原理EPROM存储电路是利用浮栅雪崩注入技术实现。平时浮栅上无电荷，在控制栅加正压，管子导通，ROM存储信息为“1”；写入时在漏极和衬底、漏极和源极加高压，内部PN结击穿，浮栅捕获电荷，ROM存储信息“0”；紫外光源照射时浮栅上电荷形成光电流泄漏，实现擦除。第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日方式A9A0VPPVCC数据端功能读低低高××VCC5V数据输出输出禁止低高高××VCC5V高阻备用高××××VCC5V高阻编程低高低××12.5VVCC数据输入校验低低高××12.5VVCC数据输出编程禁止高××××12.5VVCC高阻标识符?低?低?高?高低高VCCVCC5V5V制造商编码器件编码引脚2.EPROM例子Intel2764(8K×8)有13条地址线，8条数据线，2个电压输入端VCC和VPP，一个片选端CE，此外还有输出允许OE和编程控制端PGM。2764A的工作方式选择第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日1)读方式读方式是2764A通常使用的方式，此时两个电源引脚VCC和VPP都接至+5V，PGM接至高电平，当从2764A的某个单元读数据时，先通过地址引脚接收来自CPU的地址信号，然后使控制信号和CE、OE都有效，于是经过一个时间间隔，指定单元的内容即可读到数据总线上。2)标志符方式要读出2764的编码必须顺序读出两个字节，把A9接+12.5V的高电平，先让A1～A8全为低电平，而使A0从低变高。当A0=0时，读出的内容为制造商编码(陶瓷封装为89H，塑封为88H)，当A0=1时，读出器件的编码(2764A为08H，27C64为07H)。第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日3)备用方式只要CE为高电平，2764A就工作在备用方式，输出端为高阻状态，这时芯片功耗将下降，从电源所取电流由100mA下降到40mA。4)编程方式VPP接+12.5V，VCC仍接+5V，从数据线输入这个单元要存储的数据，每写一个地址单元，都必须在PGM端送一个宽度为45ms的负脉冲。5)编程校验方式编程过程中，在一个字节的编程完成后，读出同一单元的数据，这样与写入数据相比较，校验编程的结果是否正确。第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日2764编程波形第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日5.3.3电可擦可编程ROM(EEPROM)EPROM的缺点是整个芯片只写错一位，也必须从电路板上取下擦掉重写。而EEPROM可以按字节擦除，也可以全片擦除。另外可以在线读写。1.并行接口EEPROM读写方法简单，容量较大，速度快，功耗大。第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第五章存储器第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日5.1存储器概述5.1.1存储器分类按存取速度和用途可把存储器分为两大类，内部存储器和外部存储器。内存具有一定容量，存取速度快。内存是计算机的重要组成部分，CPU可对它进行访问。内存主要是半导体存储器。外存速度较慢，但存储容量不受限制，故称海量存储器。外存主要是磁记录存储器和光记录存储器。第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日半导体存储器从制造工艺分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度分为随机读写存储器和只读存储器。第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日随机读写存储器(RAM)这种存储器在使用过程中既可利用程序随时写入信息，又可随时读出信息。它分为双极型和MOS型两种，前者读写速度高，但功耗大，集成度低，故在微型机中几乎都用后者。RAM可分为三类。1)静态RAM静态RAM即SRAM(StaticRAM)，其存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳定，只要不掉电，信息不会丢失。优点是不需刷新，缺点是集成度低。它适用于不需要大存储容量的微型计算机(例如，单板