第二章二极管及基本电路.pptVIP

PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。VRIR第29页，共81页，星期日，2025年，2月5日iD/mAvD/V00.51.0-0.5-1.01.00.5硅二极管PN结V-I特性PN结V-I特性的表达式IS：反相饱和电流，其值很小；VT：温度的电压当量，为26mV;第30页，共81页，星期日，2025年，2月5日vDiDVBRPN结的反相击穿当PN结两端反相电压增大到一定值（VBR）时，反相电流突然增大，这个现象称为反相击穿。0产生反相击穿的原因：在强电场的作用下大大增加了自由电子和空穴的数目，引起反相电流剧增。两种反相击穿现象：雪崩击穿、齐纳击穿。第31页，共81页，星期日，2025年，2月5日§2.3半导体二极管1.基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型第32页，共81页，星期日，2025年，2月5日PN结面接触型PNak阳极阴极第33页，共81页，星期日，2025年，2月5日2、二极管的V-I特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)?正向特性?反向特性?反向击穿特性第34页，共81页，星期日，2025年，2月5日3.二极管参数?最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。?反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。第35页，共81页，星期日，2025年，2月5日?反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等。下面介绍两个交流参数。第36页，共81页，星期日，2025年，2月5日?微变电阻rDiDvDIDVDQ?iD?vDrD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。第37页，共81页，星期日，2025年，2月5日?二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。第38页，共81页，星期日，2025年，2月5日为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。P+-N这样所产生的电容就是扩散电容CD。第39页，共81页，星期日，2025年，2月5日CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容的综合效应rd第40页，共81页，星期日，2025年，2月5日§2.4二极管基本电路及其分析方法1.二极管正向V-I特性的建模（1）理想模型正向偏置时，其管压降为0；反相偏置时，认为电阻无穷大，电流为0。0iDvDvD+-iD第41页，共81页，星期日，2025年，2月5日（2）恒压降模型0iDvDvD+-iD当二极管导通后，认为其管压降是恒定的，且不随电流而变。硅管为0.6~0.7V,锗管为0.2~0.3V。第42页，共81页，星期日，2025年，2月5日（3）折线模型0iDvDvD+-iDVthrD二极管的管压降不是恒定的，是随其电流iD的增加而增加，在模型用一个电池和一个电阻来近似。第43页，共81页，星期日，2025年，2月5日（4）小信号模型0iDvD?vD?iD+-rDQVDID?iD?vD第