第四章场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

4.2.2场效应管的交流等效模型场效应管也是非线性器件，在输入信号电压很小的条件下，也可将用小信号模型等效。与建立晶体管小信号模型相似，将场效应管也看成一个两端口网络，以结型场效应管为例，栅极与源极之间为输入端口，漏极与源极之间为输出端口。无论是哪种类型的场效应管，均可以认为栅极电流为零，输入端视为开路，栅-源极间只有电压存在。在输出端口，漏极电流是和的函数，如图4-14所示。图4-14第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日4.2.3共源放大电路的动态分析应用微变等效电路法来分析计算场效应管放大的电压放大倍数和输入电阻、输出电阻，其步骤与分析三极管放大电路相同。图4-15为共源极放大电路和微变等效电路。图4-15第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日1.求电压放大倍数2.求输入电阻通常，为了减小、对输入信号的分流作用，常选择，3.求输出电阻第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日**第四章场效应晶体管及其放大电路**第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日4.1单极型晶体管4.2场效应管基本放大电路4.3应用电路介绍第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日60年代初，出现了一种利用改变电场强弱来控制固体材料的导电能力半导体器件，称为场效应晶体管，简称场效应管。它是电压控制型器件。与双极型三极管相比，无论是内部的导电机理还是外部的特性曲线，二者都截然不同。场效应管属于一种新型的半导体器件，尤为突出的是：场效应管具有高达107～1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类，它们都只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型三极管。其中绝缘栅型应用更为广泛。简介第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日4.1单极型晶体管（FET）绝缘栅型场效应管的结构是金属－氧化物－半导体，简称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种，每一种又可分为增强型与耗尽型两种型式。本节将以N沟道为例，说明绝缘栅型场效应管的结构和工作原理。4.1.1场效应管的结构和外部特性1.N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构图4-1第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日（1）工作原理增强型MOS管的源区(N+)、衬底(P型)和漏区(N+)三者之间形成了两个背靠背的PN+结，漏区和源区被P型衬底隔开。当栅-源之间的电压时，不管漏源之间的电源极性如何，总有一个PN+结反向偏置，此时反向电阻很高，不能形成导电通道。若栅极悬空，即使漏源之间加上电压，也不会产生漏极电流，MOS管处于截止状态。1)导电沟道的形成当足够大时，由于静电场作用，管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道(称为沟道)，极间等效电阻较小。越大，导电沟道宽度越宽，等效电阻越小。产生导电沟道所需的最小栅源电压我们称为开启电压。改变栅源电压，就可以改变导电沟道的宽度。第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日上述这种在时没有导电沟道，因而必须在时才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。图4-2第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日2）漏源间电压好栅源电压对漏极电流的影响当时，若在漏-源之间加上正向电压时，则将产生一定的漏极电流。此时，的变化会对导电沟道产生影响。即当较小时，的增大使线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如图4-3a)所示。一旦增大到使时，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断，如果继续增大，夹断区随之延长，如图(b)所示。图4-3第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日2）漏源间电压好栅源电压对漏极电流的影响而且的增大部分几乎全部用于克服夹断区对