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3.三极管内部载流子的传输过程1)发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流IE。ICN多数向BC结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合，形成IBN。IBN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)ICBOIBIBN?IB+ICBO即：IB=IBN–ICBO2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略)第62页，共112页，星期日，2025年，2月5日ICNIEIBNICBOIB3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流ICICIC=ICN+ICBO第63页，共112页，星期日，2025年，2月5日4.三极管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB=IBN?ICBOIC=ICN+ICBO穿透电流第64页，共112页，星期日，2025年，2月5日IE=IC+IB第65页，共112页，星期日，2025年，2月5日1.5.2晶体三极管的特性曲线一、输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似第66页，共112页，星期日，2025年，2月5日O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE(on)硅管：(0.6?0.8)V锗管：(0.2?0.3)V取0.7V取0.2V第67页，共112页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止区：IB?0IC=ICEO?0条件：两个结反偏截止区ICEO第68页，共112页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.放大区：放大区截止区条件：发射结正偏集电结反偏特点：水平、等间隔ICEO第69页，共112页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843213.饱和区：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0条件：两个结正偏特点：IC??IB临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)UCE(SAT)=0.1V(锗管)放大区截止区饱和区ICEO第70页，共112页，星期日，2025年，2月5日三、温度对特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1?C，UBE?(2?2.5)mV。温度每升高10?C，ICBO约增大1倍。OT2T1第71页，共112页，星期日，2025年，2月5日2.温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCET1iB=0T2iB=0iB=0温度每升高1?C，??(0.5?1)%。输出特性曲线间距增大。O第72页，共112页，星期日，2025年，2月5日1.5.3晶体三极管的主要参数一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流电流放大系数?—交流电流放大系数一般为几十?几百Q第73页，共112页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O2468432
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