第1章 晶体二极管及其基本电路.pptVIP

1–3–3晶体二极管模型对电子线路进行定量分析时，电路中的实际器件必须用相应的电路模型来等效，根据分析手段及要求的不同，器件模型将有所不同。例如，借助计算机辅助分析，则允许模型复杂，以保证分析结果尽可能精确。而在工程分析中，则力求模型简单、实用，以突出电路的功能及主要特性。下面我们将依据二极管的实际工作条件，引出工程上便于分析的二极管模型。第62页，共95页，星期日，2025年，2月5日二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，而导通后所呈现的非线性往往是次要的。第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–16二极管特性的折线近似及电路模型第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–16二极管特性的折线近似及电路模型第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日1–3–4二极管基本应用电路利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等功能。一、二极管整流电路把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图1–17(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，uo=ui；负半周时，二极管截止(相当开关打开)，uo=0。其输入、输出波形见图1–17(b)。整流电路可用于信号检测，也是直流电源的一个组成部分。第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–17二极管半波整流电路及波形(a)电路；(b)输入、输出波形关系第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–9正向偏置的PN结第30页，共95页，星期日，2025年，2月5日二、PN结加反向电压使P区电位低于N区电位的接法，称PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏)。由于反向电压与UB的极性一致，因而耗尽区两端的电位差变为UB+U，如图1–10所示。第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–10反向偏置的PN结第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日三、PN结电流方程理论分析证明，流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为i=IS(equ/kT-1)=IS(eu/UT-1)(1–4)?式中，IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关；UT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时，UT=26mV。这是一个今后常用的参数。第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日由式(1–4)可知，加正向电压时，u只要大于UT几倍以上，i≈Iseu/U-T，即i随u呈指数规律变化；加反向电压时，|u|只要大于UT几倍以上，则i≈–IS(负号表示与正向参考电流方向相反)。因此，式(1–4)的结果与上述的结论完全一致。由式(1–4)可画出PN结的伏安特性曲线，如图1–11所示。图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。第34页，共95页，星期日，2025年，2月5日1–2–3PN结的击穿特性由图1–11看出，当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义UBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。第35页，共95页，星期日，2025年，2月5日图1–11PN结的伏安特性第36页，共95页，星期日，2025年，2月5日一、雪崩击穿在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。第37页，共95页，星期日，2025年，2月5日二、齐纳击穿在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。一