结型场效应管.ppt

结型场效应管第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日PNNg(栅极)s源极d漏极P沟道结型场效应管结构基底：P型半导体两边是N区导电沟道dgs第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日NgsdvDSvGSNNP＋iDP＋正常工作条件vDS为正值，vGS为负值。一、NJFET工作原理-++-（2）vGS越负则耗尽区越宽，导电沟道越窄,电阻越大，iD越小。vGS对沟道导电能力的影响（1）当vGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。ds间相当于线性电阻。第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日NJFET工作原理NgsdvDSNNP＋iDP＋-++-vGSvGS对沟道导电能力的影响（3）vGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，ds间被夹断，这时，即使vDS?0V，漏极电流iD=0A。VP:夹断电压两侧阻挡层相遇，沟道消失，iD＝0时的电压第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日NJFET工作原理vDS对沟道导电能力的控制NgsdvDSvGSNNiD-++-P＋P＋源极：反偏电压vGS最小沟道最宽漏极：反偏电压vGD＝vGS－vDS最大，沟道最窄（1）vGDVP即vDSvGS-VP时，导电沟道不均匀第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日vDS增大则被夹断区向下延伸。NgsdvDSvGSNNiD-++-P＋P＋NJFET工作原理vDS对沟道导电能力的控制（2）vGD=VP即vDS=vGS-VP时，漏端的沟道被夹断，称为预夹断（3）此时，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随vDS的增加而增加，呈恒流特性。第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日iD/mAVDS/V0510152025非饱和区iD同时受vGS和vDS的控制饱和区截至区-0.5V-1VvGS=0V-1.5V-2V击穿区二、NJFET输出特性曲线第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日VP=-2ViD/mAvDS/V0510152025-2-1012iD/mAvGS/VVDS=10V-0.5V-1VvGS=0V-1.5V-2V一定vDS下的iD-vGS曲线IDSS饱和漏极电流夹断电压NJFET转移特性曲线第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日VP=5ViD/mA－vDS/V05101520251V3VvGS=0V4V5V三、PJFETdgs（输出特性）（转移特性）（符号）012345iD/mAvGS/VIDSS第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日1、结构2、工作原理3、转移特性4、输出特性结型场效应管－演示第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日第11页，共28页，星期日，2025年，2月5日第12页，共28页，星期日，2025年，2月5日第13页，共28页，星期日，2025年，2月5日第14页，共28页，星期日，2025年，2月5日一、偏置电路及静态分析1、自偏压电路（用于耗尽型）○○○○○●●●●●●Cb1RgRsCCb2RdT+-+-vivoVDD2）图解法输入回路直流负载线输出回路直流负载线1）估算法JFET放大电路分析（1）第15页，共28页，星期日，2025年，2月5日2、分压式自偏压电路对于增强型-vo○○○○○●●●●●●Cb1Rg3RsCCb2RdT+-+viVDD●●Rg2Rg1VGS可正可负可零。对于耗尽型JFET放大电路分析（2）第16页，共28页，星期日，2025年，2月5日JFET放大电路分析（3）二、动态分析-vo○○○○○●●●●●●Cb1Rg3