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新材料领域重大技术需求榜单

一（）高可靠性超细镀靶键合铜丝研发

研究内容：针对半导体封装行业对键合金丝的求增长，

迫切开发一种新型廉价金属键合丝材料以替代金丝。本项目针

对键合铜丝抗氧化性能差、延展性和超细易断裂的缺点开展表

面铝金属膜工艺制备技术研究。项目开展微量元素掺杂铜基体

微合金制备技术及键合性能关键技术研究，通过真空熔铸技术

确保掺杂微量元素纯度和掺杂量可控；开展封装超细键合铜丝

表面靶金属膜制备技术研究（委外），提高材料的抗腐蚀性、抗

氧化性、可焊性、润滑性、耐磨性、附着性等，确保镀层厚度

可控、均匀一致；开展超细键合铜丝表面靶金属膜键合性能研

究，确保镀层均一、厚度可控；开展超细镀靶键合铜丝退火工

艺技术及装备研究（委外），研究18pm超细键合铜丝的退火技

术，使其达到合理断裂负荷和延伸率，满足封装键合的推拉力

要求，保证键合稳定性。

考核指标：材料性能指标：可测杂质总量小于lOOppm,拉

丝成品线径为延伸率5・15%、断裂负荷4-8g、熔断电

流不小于620mA、电阻率不高于1.7|iOhm/cm。靶金属膜镀层技

术指标如下：镀层厚度80-150nm,镀层均匀度（最大厚度与最

小厚度相差比）＜3%。焊接性能指标如下：无烧球F（AB）气

孔、无球形F（AB）偏心、键合球厚度8・12nm、键合球直径32・

45im（、金属间共金280%。

二（）高丰度铺铁硼磁体材料热扩渗及酸洗控氢技术研究

研究内容：针对当前烧结稀土钛铁硼永磁材料生产中以锦

C（e）取代错P（r）、钦N（）后磁体内禀矫顽力大幅降低的

难题，开展高丰度稀土永磁材料结构与性能、热扩渗Dy/Tb对

烧结铉铁硼磁体组织结构与性能影响、氢损伤门槛等研究，把

握材料成分、结构和性能间的相互关系、Dy/Tb扩散机理、氢

对材料性能影响等规律，实施材料设计和磁体制备、Dy/Tb热

扩渗及酸洗等系列工艺的优化，研制出低成本、高矫顽力、低

氢损伤高丰度钟铁硼磁体，提高镀层和基体间的结合力，实现

磁体产品批量生产和工程应用。（委外）

考核指标：金属Ce含磁钢稀土总量的40%以上；基材内禀

矫顽力Hcj12KOe,热扩渗提升内禀矫顽力5KOe以上；重稀

士含量Dy：0.6%,Tb：0.1%；酸洗后氢含量控制在200ppm。

项目期内建成年产3000吨低成本高性能稀土永磁材料生产线。

三（）高亮度三色成像车规级全息膜材料研发

研究内容：针对目前车规级全息膜被国外垄断的行业困境

及其单绿色显、低调制度等缺陷，合成低折射率的车用全息

膜成膜树脂，开发高摩尔消光系数的光敏剂，研发高亮度三色

成像车规级全息膜材料，突破车规级全息膜三色成像和高调制

度的技术瓶颈；通过设计并拍摄曝光完成具有超大尺寸三色的

车用全息反射光栅膜，完成全息AR-HUD小体积高亮度的功能

实现。（以上为委外）

考核指标：成膜树脂指标：与车用全息膜其他组分无分层

或沉淀，折射率＜1.4,400-680nm整体透过率＞85%,105℃+1000h无

黄变且透过率变化＜6%,产能10kg/月且成本＜5元/g。光敏剂指

标：与车用全息膜其他组分无分层或沉淀，最大摩尔消光系数

＞1.12*105L（/mol/cm）,产能1kg/月巨成本＜50元/g。全息反射

光栅膜技术指标：折射效率＞90%,折射率调制度An＞0.03,透

过率＞90%,雾度＜2%,三色光敏剂灵敏度＞20%,收缩率口.4%,

光栅间距变化量＜8nm,布拉格角度偏移量＜8nm,且

105℃+1000h和UV实验S（EAJ2527）后满足以上指标；符合

ROHS和REACH环保标准，成本W