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2025年半导体刻蚀工艺服务合同协议

本合同由以下双方于2025年[具体日期]在[具体地点]签订：

甲方（委托方）：

法定全称：[甲方公司全称]

注册地址：[甲方公司注册地址]

联系人：[甲方联系人姓名]

联系方式：[甲方联系人电话/邮箱]

乙方（服务方）：

法定全称：[乙方公司全称]

注册地址：[乙方公司注册地址]

联系人：[乙方联系人姓名]

联系方式：[乙方联系人电话/邮箱]

鉴于：

甲方需要委托乙方提供半导体刻蚀工艺服务，以支持甲方在半导体器件制造或研发活动中的需求；乙方具备提供相关刻蚀工艺服务的能力和资质。根据《中华人民共和国民法典》及相关法律法规，双方经友好协商，达成如下协议，以资共同遵守。

第一条服务定义与范围

1.1乙方同意根据甲方要求，使用位于[乙方设施地址或说明]的[刻蚀设备具体型号名称，例如：ICP-RIE刻蚀机]为甲方提供半导体刻蚀工艺服务。

1.2本次服务的刻蚀对象主要为[具体说明刻蚀材料，例如：硅(Si)衬底上的二氧化硅(SiO2)层]，用于制造[具体说明应用，例如：MEMS传感器或其他半导体器件]。

1.3刻蚀工艺类型为[具体说明工艺类型，例如：干法刻蚀]，采用[具体说明气体配方，例如：SF6/Cl2混合气体]进行等离子体刻蚀。

1.4乙方应按照甲方提供的工艺需求文件（具体文件名称可列明，如《刻蚀工艺规程V1.0》）设定的主要工艺参数（包括但不限于功率、气压、温度、衬底偏压等）进行操作，并根据实际情况与甲方协商进行参数优化。

1.5服务范围包括刻蚀设备的操作、工艺执行、结果初步检测以及必要的工艺维护。不包括刻蚀前道的光刻准备工作以及刻蚀后道的清洗、検测等工序。

1.6乙方应保证在服务期内，刻蚀服务的可交付能力满足甲方[具体说明，例如：每月XX片晶圆的需求或每周XX次工艺运行的需求]。

第二条双方权利与义务

2.1甲方的权利与义务：

(1)有权要求乙方按照合同约定及工艺规程提供合格、稳定的刻蚀服务。

(2)有权对乙方提供的刻蚀结果进行检验，并根据本合同第五条约定的标准进行验收。

(3)应向乙方提供清晰、完整的工艺需求文件、设计图纸、相关材料信息及必要的工程背景，并保证信息的准确性。

(4)应按照合同约定及时向乙方支付服务费用。

(5)应遵守乙方的厂区安全管理规定，指派专人配合乙方进行工艺相关工作。

(6)对乙方在服务过程中知悉的甲方商业秘密和技术信息承担保密义务。

2.2乙方的权利与义务：

(1)有权按照合同约定收取服务费用。

(2)应确保提供的刻蚀设备处于良好运行状态，并具备进行约定服务的资质和能力。

(3)应严格按照甲方确认的工艺规程或双方协商一致的工艺参数进行刻蚀操作，并对工艺结果负责。

(4)应持续监控刻蚀工艺稳定性，定期向甲方报告工艺运行状态和关键参数。

(5)应对甲方提供的样品或信息承担保密义务，未经甲方书面同意，不得泄露给任何第三方。

(6)应配合甲方进行必要的工艺问题分析和解决，提供必要的技术支持。

(7)应确保其操作人员和设备符合相关的安全生产和环境保护法律法规要求。

第三条技术合作与知识产权

3.1双方同意就本次刻蚀工艺服务相关的工艺优化进行合作。具体合作方式为：甲方提供需求输入和验证样品，乙方负责工艺开发和实施，双方共同评估结果。

3.2双方同意，在本合同履行过程中，双方共同完成的技术开发成果，其知识产权归属双方另行协商确定，或按事先约定的比例共同拥有。未经对方同意，任何一方不得单独将包含共有知识产权的技术成果申请专利或进行商业化应用。

3.3乙方在提供服务过程中产生的标准操作规程、维护记录等技术文档，其知识产权归乙方所有，但甲方有权在服务范围内使用。

第四条费用与结算

4.1本合同项下的服务费用采用[选择一种计费方式，例如：按晶圆片数计费]方式。费用标准为人民币[具体金额]元/每片[具体说明晶圆规格，例如：200mm晶圆]。

4.2服务费用按[具体频率，例如：月度]结算。乙方应在每个结算周期结束后[具体天数，例如：10]个工作日内，向甲方提供详细的服务量清单及费用账单。甲方应在收到账单后[具体天数，例如：15]个工作日内进行核对，并支付相应费用。

4.3甲方应将服务费用支付至乙方指定的以下银行账户：

开户行：[乙方开户行名称]

账户名称：[乙方账户全称]

账号：[乙方银行账号]

4.4所有费用均以人民币结算，乙方不再收取其他任何性质的费用。

第五条验收与质量保证

5.1乙方提供的刻蚀结果应达到甲方在《刻蚀工艺规程V1.0》中明确的质量标准，包括但不限于：刻蚀深度偏差不超过±[具体百分