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(2025年)半导体制造技术考试题库及答案

一、选择题

1.以下哪种光刻技术可以实现更高的分辨率？()

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C

解析：极紫外光刻（EUV）使用的波长更短，能够实现比紫外光刻、深紫外光刻更高的分辨率。电子束光刻虽然分辨率也很高，但它是一种直写技术，生产效率低，不适合大规模量产。所以答案选C。

2.在化学机械抛光（CMP）过程中，以下哪个因素对抛光效果影响最小？()

A.抛光垫的材质

B.抛光液的成分

C.晶圆的初始粗糙度

D.抛光机的转速

答案：C

解析：抛光垫的材质会影响抛光的速率和均匀性；抛光液的成分决定了化学反应的活性和去除速率；抛光机的转速会影响机械作用的强度。而晶圆的初始粗糙度在CMP过程中可以通过合理的工艺参数进行改善，对最终抛光效果的影响相对较小。所以答案选C。

3.以下哪种掺杂方法可以精确控制掺杂的位置和浓度？()

A.热扩散掺杂

B.离子注入掺杂

C.气相掺杂

D.液相掺杂

答案：B

解析：离子注入掺杂可以通过精确控制离子的能量和剂量，从而精确控制掺杂的位置和浓度。热扩散掺杂难以精确控制掺杂的位置；气相掺杂和液相掺杂在精确控制方面也不如离子注入。所以答案选B。

4.半导体制造中，以下哪种气体常用于刻蚀硅材料？()

A.氯气

B.氧气

C.氮气

D.氢气

答案：A

解析：氯气可以与硅发生化学反应，用于刻蚀硅材料。氧气主要用于氧化工艺；氮气通常作为保护气体；氢气在一些还原工艺中使用。所以答案选A。

5.在物理气相沉积（PVD）中，以下哪种方法可以制备出更致密的薄膜？()

A.蒸发镀膜

B.溅射镀膜

C.离子镀

D.化学气相沉积

答案：C

解析：离子镀过程中，离子具有较高的能量，能够使沉积的原子更好地排列，从而制备出更致密的薄膜。蒸发镀膜和溅射镀膜制备的薄膜致密性相对较差；化学气相沉积不属于物理气相沉积。所以答案选C。

6.以下哪种光刻胶在曝光后溶解度增加？()

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.电子束光刻胶

D.极紫外光刻胶

答案：A

解析：正性光刻胶在曝光后，其分子结构发生变化，在显影液中的溶解度增加。负性光刻胶曝光后溶解度降低。电子束光刻胶和极紫外光刻胶也有正性和负性之分，但这里问的是曝光后溶解度增加的，所以答案是正性光刻胶，选A。

7.半导体制造中的清洗工艺，主要目的不包括以下哪一项？()

A.去除表面杂质

B.改善表面平整度

C.去除光刻胶

D.防止表面氧化

答案：B

解析：清洗工艺的主要目的是去除表面杂质、光刻胶，以及防止表面氧化。改善表面平整度通常是通过抛光等工艺实现的，不是清洗工艺的主要目的。所以答案选B。

8.以下哪种晶体生长方法可以生长出大尺寸、高质量的单晶硅？()

A.提拉法

B.区熔法

C.气相生长法

D.溶液生长法

答案：A

解析：提拉法（Czochralski法）是目前生长大尺寸、高质量单晶硅最常用的方法。区熔法主要用于制备高纯度的硅；气相生长法和溶液生长法在生长大尺寸单晶硅方面存在一定的局限性。所以答案选A。

9.在半导体制造的光刻工艺中，以下哪个步骤是在曝光之后进行的？()

A.涂胶

B.显影

C.烘烤

D.对准

答案：B

解析：光刻工艺的流程一般为涂胶、烘烤、对准、曝光、显影等。所以在曝光之后进行的步骤是显影，答案选B。

10.以下哪种半导体材料的禁带宽度最大？()

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

答案：D

解析：碳化硅（SiC）的禁带宽度比硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）都要大。禁带宽度大的半导体材料具有一些特殊的性能，如耐高温、耐高压等。所以答案选D。

二、填空题

1.半导体制造中常用的光刻设备有步进光刻机和_______光刻机。

扫描###2.化学机械抛光（CMP）主要是利用_和机械作用相结合的原理来实现材料的去除和表面平整化。_化学作用###3.离子注入后通常需要进行______处理，以消除注入造成的晶格损伤和激活掺杂原子。退火###4.半导体制造中的氧化工艺可以分为干氧氧化和_氧化。_湿氧###5.物理气相沉积（PVD）主要包括蒸发镀膜和______镀膜。溅射###6.光刻胶根据其对曝光的响应特性可分为正性光刻胶和_光刻胶。_负性###7.半导体清洗工艺中常用的清洗剂有______、过氧化氢等。氨水###8.单晶硅生长的提拉法中，需要将_籽晶浸入熔融的硅液中。_单晶硅###9.半导体制造的光刻工艺中，光刻版上的图案通过______技术转移到晶圆表面的光刻胶上。曝光###