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2025半导体PVD膜沉积技术模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种物理气相沉积（PVD）技术通过电场加速离子轰击靶材实现原子离化？

A.热蒸发沉积

B.电子束蒸发沉积

C.磁控溅射沉积

D.分子束外延（MBE）

答案：C

解析：磁控溅射利用电场和磁场的联合作用，使氩离子轰击靶材表面，通过动量传递将靶材原子溅射出来，而蒸发类技术（A、B）依赖加热使靶材原子升华，MBE属于精密外延技术，与离子轰击无关。

2.半导体PVD工艺中，基底偏压设置为-100V时，主要作用是？

A.提高靶材溅射速率

B.增强薄膜与基底的附着力

C.降低真空室本底压强

D.减少薄膜中的缺陷密度

答案：B

解析：基底施加负偏压时，等离子体中的正离子会被加速轰击基底表面，通过清洗基底氧化物、增强原子表面迁移率，从而提高薄膜附着力。溅射速率主要由靶材功率和气压决定（A错误），偏压不影响本底真空（C错误），过高偏压可能增加缺陷（D错误）。

3.制备铜（Cu）互连阻挡层时，常用的PVD靶材是？

A.纯铜靶

B.氮化钛（TiN）靶

C.二氧化硅（SiO?）靶

D.铝（Al）靶

答案：B

解析：铜互连工艺中，阻挡层需防止铜扩散到介质层，常用TiN、TaN等材料，因此选择TiN靶。纯铜靶用于沉积铜籽晶层（A错误），SiO?是介质材料（C错误），Al用于传统金属互连（D错误）。

4.PVD过程中，薄膜生长模式从“岛状生长”转变为“层状生长”的关键影响因素是？

A.靶材与基底间距

B.基底温度

C.真空室本底压强

D.溅射气体种类

答案：B

解析：基底温度升高时，adatoms（吸附原子）表面迁移率增加，更易在基底表面扩散并形成连续薄膜，因此高温促进层状生长（Frank-vanderMerwe模式），低温则因迁移率低形成岛状（Volmer-Weber模式）。间距影响沉积速率（A错误），压强影响粒子平均自由程（C错误），气体种类影响溅射产额（D错误）。

5.下列哪项不是磁控溅射设备的核心组件？

A.永磁体阵列

B.射频（RF）电源

C.分子泵

D.电子枪

答案：D

解析：电子枪是电子束蒸发设备的核心组件（用于聚焦电子束加热靶材），磁控溅射设备需要永磁体形成闭合磁场（A）、电源（直流/射频，B）、真空系统（分子泵，C）。

6.2025年先进半导体制程中，PVD工艺面临的主要挑战是？

A.降低薄膜沉积速率

B.实现高深宽比结构的conformal覆盖

C.提高靶材成本

D.减少基底温度控制精度

答案：B

解析：随着3DNAND、FinFET等结构的深宽比（如100:1）不断增大，传统PVD的方向性沉积（直线路径）难以覆盖结构底部，需开发低能离子辅助、脉冲溅射等技术改善覆盖性。降低速率不符合需求（A错误），靶材成本需降低（C错误），温度控制需更精确（D错误）。

7.测量PVD薄膜厚度时，使用椭圆偏振仪的主要优势是？

A.可测量任意厚度

B.非破坏性且精度高（纳米级）

C.能直接观察薄膜表面形貌

D.适用于粗糙表面

答案：B

解析：椭圆偏振仪通过测量光的偏振态变化反演厚度，精度可达0.1nm，且无需破坏样品。其测量范围受材料光学常数限制（A错误），表面形貌观察需SEM/TEM（C错误），粗糙表面会散射光影响精度（D错误）。

8.溅射工艺中，氩气（Ar）压强从5mTorr升至15mTorr时，薄膜致密度的变化趋势是？

A.先增加后降低

B.持续增加

C.先降低后增加

D.持续降低

答案：D

解析：气压升高时，氩离子平均自由程减小，与中性粒子碰撞次数增加，到达基底的粒子能量降低，表面迁移率下降，导致薄膜结构疏松、致密度降低。

9.制备高纯度金属薄膜时，需严格控制的工艺参数是？

A.基底旋转速率

B.真空室本底真空度（漏率）

C.靶材与基底夹角

D.溅射功率波动范围

答案：B

解析：本底真空度低（如低于1e-7Torr）可减少残余气体（H?O、O?）混入薄膜，避免氧化或杂质污染。基底旋转影响均匀性（A错误），夹角影响覆盖性（C错误），功率波动影响速率稳定性（D错误）。

10.以下哪种PVD技术更适合沉积大尺寸均匀性要求高的晶圆（如300mm）？

A.单点蒸发源

B.多靶磁控溅射（对称布局）

C.电子束蒸发（单束聚焦）

D.离子束溅射（小束斑扫描）

答案：B

解析：多靶对称布