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2025年国家开放大学《物理电子学》期末考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.物理电子学中，二极管的主要功能是（）

A.传递信号

B.稳压

C.整流

D.放大

答案：C

解析：二极管具有单向导电性，主要功能是将交流电转换为直流电，即整流。传递信号和放大通常由晶体管完成，稳压则由稳压电路实现。

2.晶体管的放大作用是指（）

A.电流控制电流

B.电压控制电压

C.电流控制电压

D.电压控制电流

答案：A

解析：晶体管的放大作用是通过控制小的基极电流来控制大的集电极电流，即电流控制电流。电压控制电压和电流控制电压不是晶体管的基本放大机制。

3.在RC电路中，电容器的充电时间常数τ等于（）

A.R/C

B.C/R

C.R+L

D.L/R

答案：A

解析：RC电路的充电时间常数τ是电阻R和电容C的乘积，即τ=R/C。L是电感的符号，不适用于RC电路。

4.晶体管的工作状态包括（）

A.放大、饱和、截止

B.放大、饱和、反向

C.截止、饱和、反向

D.放大、截止、反向

答案：A

解析：晶体管的工作状态主要有放大、饱和和截止三种状态。反向不是晶体管的工作状态。

5.光电效应是指（）

A.光照射到物体上产生热效应

B.光照射到物体上产生电效应

C.光照射到物体上产生磁效应

D.光照射到物体上产生化学效应

答案：B

解析：光电效应是指光照射到物体上时，物体会产生电效应，例如产生光电流。热效应、磁效应和化学效应不是光电效应的表现。

6.半导体材料的禁带宽度越大，其导电性（）

A.越好

B.越差

C.不变

D.短路

答案：B

解析：半导体的导电性与禁带宽度有关，禁带宽度越大，电子越难跃迁到导带，导电性越差。禁带宽度越小，导电性越好。

7.MOSFET的输出特性曲线中，饱和区是指（）

A.漏源电压VDS较大，漏极电流ID基本不变

B.漏源电压VDS较小，漏极电流ID基本不变

C.漏源电压VDS较大，漏极电流ID随栅极电压变化

D.漏源电压VDS较小，漏极电流ID随栅极电压变化

答案：A

解析：在MOSFET的输出特性曲线中，饱和区是指漏源电压VDS较大时，漏极电流ID基本不随漏源电压变化，而主要随栅极电压变化。

8.晶体管的输入特性曲线是指（）

A.漏极电流ID与漏源电压VDS的关系

B.漏极电流ID与栅极电压VG的关系

C.栅极电流IG与栅源电压VGS的关系

D.栅极电流IG与漏源电压VDS的关系

答案：C

解析：晶体管的输入特性曲线是指栅极电流IG（通常很小，可以忽略）与栅源电压VGS的关系。漏极电流ID与漏源电压VDS的关系是输出特性曲线，漏极电流ID与栅极电压VG的关系是转移特性曲线。

9.光电二极管的工作原理是（）

A.利用光电效应将光能转换为电能

B.利用热电效应将光能转换为电能

C.利用磁电效应将光能转换为电能

D.利用化学效应将光能转换为电能

答案：A

解析：光电二极管的工作原理是利用光电效应，当光照射到光电二极管上时，会激发出电子，从而产生光电流，将光能转换为电能。

10.半导体器件的温度特性中，温度升高通常会导致（）

A.电阻率降低

B.电阻率升高

C.开关速度变慢

D.开关速度变快

答案：B

解析：半导体器件的温度特性中，温度升高通常会导致载流子浓度增加，导电性增强，但电阻率反而升高。温度升高还会导致器件参数漂移，开关速度可能变快或变慢，具体取决于器件类型和温度范围。

11.在物理电子学中，描述载流子迁移率的物理量是（）

A.载流子浓度

B.电场强度

C.电导率

D.载流子漂移速度与电场强度的比值

答案：D

解析：载流子迁移率定义为载流子在单位电场强度作用下的漂移速度。载流子浓度是单位体积内的载流子数目，电导率是材料导电能力的度量，而载流子漂移速度与电场强度的比值正是迁移率的定义。

12.PN结形成后，其耗尽层主要存在于（）

A.P区和N区的内部

B.PN结界面附近

C.P区的外部

D.N区的外部

答案：B

解析：PN结形成后，由于扩散和漂移的平衡，在PN结界面附近形成一个耗尽层，该区域内缺乏自由载流子，主要存在内建电场。

13.晶体管的输入特性曲线反映了（）

A.输出电流与输入电压的关系

B.输入电压与输入电流的关系

C.输出电压与输入电流的关系

D.输出电压与输出电流的关系

答案：B

解析：晶体管的输入特性曲线是指在输出电压一定的情况下，输入电流（通常是基极电流或栅极电流）与输入电压（基极-发射极电压或栅极-源极电压）之间的关系曲线。

14.MOSFET的栅极通过什么电容来控制沟道？（）

A.