硅基140GHz_220GHz功率放大器设计.pdfVIP

摘要

在当前社会，无线通信领域正在快速发展，现阶段的5G通信已经引起了

全球范围的热潮，而后续将会应用更高更广的频段进行通信。功率放大器

PowerAmplifierPA

（，）作为无线通信发射机中的核心模块，亦是研究重点之

一，其面临着如何在高频段达到高效率，高输出功率和高增益等设计难点。

本文着眼于时下热点，将对毫米波频段应用的功率放大器进行设计。通过

调查研究国内外硅基毫米波PA的研究现状与成果，介绍PA的理论基础和相关

工艺的技术指标，分析其理论和研究其设计方法，将着重从高输出功率，高效

率和高增益三个方面进行毫米波PA设计。具体研究内容如下：

先设计低频段的功率放大器，通过对低频段1.6GHz功率放大器的设计，

涉及到的无源器件的优化设计，以及后续的流片测试，总结出遇到的问题并提

出解决措施。最后采用IHP130nmSiGeBiCMOS工艺，实现了140GHz高增益

和220GHz高效率的功率放大器，研究成果如下：

(1).140GHz高增益功率放大器，该电路采用三级级联的Cascode结构，达

到高增益和高隔离度的效果，并结合串联发射极电感来提升线性度。通过精确

优化偏置电流、偏置电压以及无源器件和匹配网络，在120~160GHz的工作频

带中，实现了最高28dB的增益和16dBm的饱和输出功率，功率附加效率（PAE）

为20%，功耗220mW。对比同类文献，实现了高增益和高输出功率。

(2).220GHz功率放大器设计，该设计对比了两种电路结构。基于变压器的

差分合成结构是为了高输出功率，而单端级联结构是为了高效率和低功耗。分

析两个电路在输出功率，增益和效率的三个仿真结果，最终确定选用单端三级

级联结构。在设计过程中，介绍了几种功率合成方式，并重点分析了差分结构

和变压器的设计。仿真结果显示，单端级联结构在200~240GHz的工作频带内

实现了最高16dB的增益和10.2dBm的饱和输出功率，功率附加效率为5.3%，

功耗为200mW。该电路在效率和功耗方面设计较优。

关键词：毫米波、硅基、功率放大器、无源器件优化、高输出功率

Abstract

Inthecurrentsociety,thefieldofwirelesscommunicationisdevelopingrapidly.

Atthepresentstage,5Gcommunicationhascausedaworldwideupsurge.Inthe

future,higherandwiderfrequencybandswillbeusedforcommunication.Power

Amplifier(PA),asthecoremoduleinthewirelesstransmitter,anditisoneofthe

research,howtheirfacesathighfrequenciestoachievehighefficiency,highoutput

Powerandhighgaindesigndifficulty.

Thispaperfocusesonthecurrenthotspotanddesignsthepoweramplifierfor

millimeterwaveapplication.Byinvestigatingandstudyingtheresearchstatusand

achievementsofsilicon-basedmillimeter-wavePAathomeandabroad,thispaper

introducesthetheoreticalbasisofPAandthetechnicalindexesofrelatedprocesses,

analyzesitstheoryandstudiesitsdesi