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2025年大学《电子封装技术-封装制造工艺》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.电子封装过程中，以下哪种工艺属于物理变化？（）

A.玻璃封装材料熔融

B.焊膏金属氧化

C.硅芯片蚀刻

D.有机基板热压成型

答案：D

解析：热压成型过程中，材料只是形态发生改变，没有新物质生成，属于物理变化。熔融、氧化、蚀刻都涉及化学反应或物质转化，属于化学变化。

2.硅芯片在封装过程中需要进行粘接，以下哪种粘接剂常用于高频率封装？（）

A.环氧树脂

B.腈-丁橡胶

C.硅酮密封胶

D.聚酰亚胺胶膜

答案：D

解析：聚酰亚胺胶膜具有低介电常数和高玻璃化转变温度，适合高频封装应用。环氧树脂常用于一般封装，腈-丁橡胶为弹性体，硅酮密封胶主要用于密封。

3.以下哪种封装形式最适合散热要求？（）

A.螺柱型

B.贴片式

C.轴承式

D.带散热器的封装

答案：D

解析：带散热器的封装通过大面积金属散热片直接接触热源，散热效率最高。螺柱型和贴片式散热能力一般，轴承式主要用于旋转部件。

4.电子封装中，以下哪种工艺可能导致内部气孔产生？（）

A.压铸成型

B.真空浸渍

C.热压烧结

D.振动研磨

答案：C

解析：热压烧结过程中，粉末颗粒间的孔隙在高温高压下可能无法完全消除，导致成品内部残留气孔。压铸成型、真空浸渍和振动研磨都能有效避免气孔产生。

5.封装过程中，以下哪种缺陷会导致电性能下降？（）

A.封装间隙过大

B.引线弯曲

C.内部裂纹

D.表面划痕

答案：C

解析：内部裂纹会中断电流通路或改变电场分布，严重降低电性能。间隙过大、引线弯曲和表面划痕主要影响机械强度或外观，一般不直接降低电性能。

6.现代封装中，以下哪种技术可以显著提高封装密度？（）

A.多芯片模块（MCM）

B.锡铅焊料

C.无铅焊膏

D.氮化硅涂层

答案：A

解析：多芯片模块技术通过将多个芯片集成在单一基板上，大幅提高单位面积的功能密度。其他选项主要改善性能、环保性或防护性。

7.封装材料的热膨胀系数（CTE）与芯片差异过大时，以下哪种问题会发生？（）

A.内部应力增大

B.封装重量增加

C.电气绝缘性下降

D.耐腐蚀性变差

答案：A

解析：CTE差异会导致温度变化时产生热应力，差异越大应力越严重，可能引发裂纹或连接失效。封装重量、绝缘性和耐腐蚀性主要受材料本身性质影响。

8.以下哪种封装工艺最适合高可靠性要求？（）

A.热风整平

B.无铅回流焊

C.激光焊接

D.真空浸渍

答案：D

解析：真空浸渍能完全填充封装内部空隙，形成致密结构，抗湿气、抗振动性能优异，最适合高可靠性应用。其他工艺各有局限性。

9.封装过程中，以下哪种检测方法主要用于检测内部缺陷？（）

A.X射线探伤

B.红外热成像

C.超声波检测

D.洗瓶机清洗

答案：A

解析：X射线能穿透封装材料，直接显示内部结构，可检测裂纹、空洞等缺陷。红外热成像检测表面异常，超声波检测内部缺陷但穿透深度有限，清洗属于前处理工艺。

10.电子封装中，以下哪种材料属于有机高分子材料？（）

A.氮化铝

B.硅氮化物

C.聚酰亚胺

D.氮化硅

答案：C

解析：聚酰亚胺是典型有机高分子聚合物，用于封装基板和粘接剂。氮化铝、硅氮化物、氮化硅均为无机陶瓷材料。

11.封装工艺中，以下哪种方法主要用于去除表面氧化物？（）

A.热风整平

B.化学清洗

C.真空蒸镀

D.激光刻蚀

答案：B

解析：化学清洗通过酸碱溶液与表面氧化物发生化学反应，将其溶解去除。热风整平主要平整焊点，真空蒸镀沉积薄膜，激光刻蚀是表面图形化手段，都不以去除氧化物为主要目的。

12.以下哪种封装技术属于倒装芯片的典型工艺？（）

A.引线键合

B.表面贴装

C.芯片直接附着

D.胶粘倒装

答案：C

解析：芯片直接附着是指将芯片直接通过粘接剂粘贴到基板或子板上，是倒装芯片（Flip-chip）的基本结构形式。引线键合是传统封装工艺，表面贴装是组件形式，胶粘倒装是具体操作方法而非技术本身。

13.封装过程中，以下哪种缺陷会导致机械强度下降？（）

A.封装过盈量不足

B.引线框架变形

C.内部气孔

D.表面划痕

答案：A

解析：封装过盈量不足意味着芯片或基板与外壳结合不紧密，无法有效传递应力，导致抗冲击、抗振动能力显著下降。引线框架变形、内部气孔和表面划痕主要影响电气性能或可靠性。

14.封装材料的热稳定性通常通过以下哪个指标评价？（）

A.介电常数

B.玻璃化转变温度

C.熔点

D.体积电阻率

答案：C

解析：热稳定性指材料在高温下保持其物理化学性质