2025年数字电子技术考试模拟题(附答案).docxVIP

2025年数字电子技术考试模拟题(附答案)

1.（单选）在2025年发布的超低功耗CMOS工艺中，某反相器在0.4V供电下静态电流仅为2pA，若其输入端长时间悬空，输出端最可能出现的逻辑状态是

A.0

B.1

C.高阻

D.振荡

答案：B

2.（单选）一款14nmFinFET器件的亚阈值摆幅为62mV/dec，理想情况下其关断电流比导通电流低6个数量级所需的VGS差值约为

A.186mV

B.248mV

C.372mV

D.434mV

答案：C

3.（单选）在2025年发布的LPDDR6规范中，数据眼图中心对齐模式要求DQ相对于DQS的保持时间tHP最小为0.18UI，若传输速率为12Gb/s，则该保持时间对应的皮秒数是

A.15ps

B.18ps

C.21ps

D.24ps

答案：A

4.（单选）某3DNAND芯片采用2025年量产的192层堆叠技术，其页大小为16kB，块大小为256页，若使用单次编程序列（SLC模式）写入一个4KiB文件，理论上最少需要消耗的块数是

A.1

B.2

C.4

D.8

答案：A

5.（单选）在2025年发布的PCIe6.0规范中，FLIT大小固定为256B，采用FEC+CRC组合，若链路误码率为1×10??，则平均每传输1TB数据出现不可纠正错误的概率约为

A.2.3×10??

B.4.6×10??

C.9.2×10??

D.1.8×10??

答案：B

6.（单选）某RISC-VSoC在2025年流片，其片上网络采用2DMesh，路由器延迟为3cycles/hop，频率2GHz，若从tile(0,0)到tile(3,3)的最短路径传输一个128B数据包，不考虑串行化延迟，仅计算路由延迟，耗时为

A.9ns

B.12ns

C.18ns

D.24ns

答案：C

7.（单选）在2025年发布的MIPIC-PHYv3.0中，三线符号编码每符号携带2.28bit，若接口速率为3.5Gsym/s，则有效数据带宽为

A.5.7Gb/s

B.7.98Gb/s

C.10.26Gb/s

D.12.54Gb/s

答案：B

8.（单选）某2025年量产的6nmSRAM在0.55V下读访问时间为250ps，若采用8Tbitcell并关闭半选择干扰抑制电路，则最可能出现的失效模式是

A.读破坏

B.写失败

C.保持失效

D.隧道漏电

答案：A

9.（单选）在2025年发布的USB4v2规范中，采用PAM3信号，奈奎斯特频率为10GHz，若信道插入损耗在10GHz处为-28dB，则根据规范必须使用的均衡级数是

A.CTLE+1-tapDFE

B.CTLE+3-tapDFE

C.CTLE+5-tapDFE

D.CTLE+7-tapDFE

答案：C

10.（单选）某2025年发布的量子随机数发生器芯片输出速率为2Gb/s，其熵源基于隧穿噪声，若后端采用AES-256CTR_DRBG进行后处理，则每生成1MB随机数需要消耗的熵种子位数至少为

A.256bit

B.384bit

C.512bit

D.1024bit

答案：C

11.（单选）在2025年量产的1nm节点，栅极长度为12nm，若采用环栅纳米片结构，片厚3nm，片间间距5nm，则每微米沟道宽度对应的有效驱动电流比FinFET提升约

A.8%

B.15%

C.22%

D.30%

答案：B

12.（单选）某2025年发布的AI加速器采用4nm工艺，片上HBM3接口1024-bit，频率4.8Gb/s，若有效带宽利用率为85%，则理论峰值带宽为

A.4.61TB/s

B.5.16TB/s

C.5.92TB/s

D.6.34TB/s

答案：B

13.（单选）在2025年发布的IEEE802.11be（Wi-Fi7）中，采用320MHz信道、4096-QAM、8×8MIMO，理论最高物理速率为

A.23Gb/s

B.46Gb/s

C.69Gb/s

D.92Gb/s

答案：B

14.（单选）某2025年发布的Chiplet互连标准UCIe1.1，在25mm2reticle内，采用45μm微凸块间距，每平方毫米